在邏輯塊行間的散置是sysMEM嵌入?yún)^(qū)塊RAM(EBR)的行和sysDSP數(shù)字信號處理區(qū)塊的行.例如, LFCPNX-100器件有三行DSP區(qū)塊和四行sysMEM EBR區(qū)塊.

此外, LFCPNX-100器件包括七個大的SRAM區(qū)塊.FPGA的可編架構(gòu)包括50k到100k邏輯單元, sysDSP™區(qū)塊有96-156個乘法器(18x18), 3.8到7.3Mb嵌入存儲器(包括EBR和LRAM), 170 - 299可編程sysI/O(高性能和寬范圍I/O),用于支持各種類接口的可編程sysI/O.

耐壓試驗在各繞組對地之問和各繞組與繞組之間,施加頻率為50 Hz的正弦交流電壓。施加的電壓值為:

對1kW以下、額定電壓不超過36V的電動機(jī)，施加500Ⅴ與2倍額定電壓之和大小的電壓,歷時1min不擊穿為合格。對1kW以上、額定電壓在36V以上的電動機(jī),施加1000V與2倍額定電壓之和大小的電壓,歷時1 min不擊穿為合格。

試驗時,應(yīng)從電壓全值的1/2開始,逐漸分段升壓。每段升高不超過全壓的5%,升至全壓的時間不少于10s。在全壓的情況下,維持1min,然后降壓至全壓的1/2,再切斷電源。

檢查出線是否正確,接線是否與端子的標(biāo)號一致,電機(jī)內(nèi)部的接線是否有碰觸轉(zhuǎn)動的部位。

檢查換向器的表面,應(yīng)平滑、光潔,不得有毛刺、裂紋、裂痕等缺陷。換向片間的云母片不得高出換向器的表面,凹下深度為1~1.5mm。

檢查刷握刷握應(yīng)牢固而精確地固定在刷架上,各刷握之問的距離應(yīng)相等,刷距偏差不超過1mm。