BUCK的占空比是40%是一定的，那也就是說(shuō)三角波的頻率也是一定的.第一個(gè)波和第二個(gè)波的斜率是相同的但是幅值不同，頻率也會(huì)不同，看一下第一個(gè)和第三個(gè)波形幅值相同,斜率不同,頻率也不相同，所以得出一個(gè)結(jié)論，想要頻率一定的話(huà)需要保證幅值、斜率都是相同的，這樣才能才能保證頻率是相同的

7nm，然后是6nm、5nm、4nm和3nm，但是似乎只有數(shù)字在進(jìn)步，5nm之后的良品率卻沒(méi)有絲毫提高。到了比臺(tái)積電更早采用GAA結(jié)構(gòu)的3nm，情況就更糟了，并且有傳言說(shuō)三星已開(kāi)始實(shí)踐2nm技術(shù)。

微型化每代推進(jìn)70%的難度是指數(shù)級(jí)的：4M、16M、64M和256M DRAM的開(kāi)發(fā)和大規(guī)模生產(chǎn)，每一代人都是在技術(shù)發(fā)展的鋼絲上行走。例如，在從64M到256M的開(kāi)發(fā)過(guò)程中，有幾次難度大到我懷疑256M達(dá)到的可能性。

在回流焊焊接后，為保證傳感器聚合物的重新水合,應(yīng)將傳感器放置在>75%RH的環(huán)境下存放至少24小時(shí)，或者將傳感器放置在自然環(huán)境(>40%RH)下5天以上，使用低溫回流焊(如180℃)可減少水合時(shí)間。

為避免焊接后沖洗電路板影響傳感器，建議使用“免洗”型焊錫膏。在使用烙鐵焊接或使用熱風(fēng)槍時(shí)需要防止助焊劑、松香等物質(zhì)濺入傳感器內(nèi)部。

把三極管箭頭理解成一個(gè)開(kāi)關(guān),NPN型三極管，按下開(kāi)關(guān)S1，約1mA的Ib流過(guò)箭頭，箭尾比箭頭電壓高0.6V~0.7V（鉗位電壓），三極管工作在飽和狀態(tài)，c極到e極完全導(dǎo)通，c極電平接近0V（GND）；負(fù)載RL兩端壓降接近5V；Ib與Ic電流都流入e極，根據(jù)電流方向，e極為低電平，應(yīng)接地，c極接負(fù)載和電源。