藍色套筒絕緣圓柱形鋁殼密封盤有減壓裝置200V至450V額定電壓
發(fā)布時間:2022/12/2 12:27:53 訪問次數(shù):111
新系列螺絲接頭鋁電解電容器---202 PML-ST,便于設(shè)計師在更小空間內(nèi)儲存更高能量。從35mmx60 mm到90mmx220mm,Vishay BCcomponents 202 PML-ST系列電容器有11種小型封裝外形尺寸,電容/電壓(CV)值高于前代解決方案,+85°C條件下紋波電流高達49.6A,ESR低至2mW,使用壽命長達10,000小時。
日前發(fā)布的電解電容器采用藍色套筒絕緣的圓柱形鋁殼,密封盤帶有減壓裝置,具有200V至450V額定電壓,56000μF至15000μF高容值/高壓組合。
例如,2200μF/400V額定CV器件以前采用65mmx105mm封裝,現(xiàn)封裝外形尺寸為50mmx105mm。電容器紋波電流和ESR優(yōu)于前代解決方案類似外形尺寸額定CV器件。例如,4700μF/400V額定CV器件紋波電流提高12%,ESR降低16%。
產(chǎn)品特性:
寬輸入范圍:4V-30V
集成兩個低內(nèi)阻8mΩ+10mΩ的同步NMOS
頻率范圍可調(diào):100kHz~1MHz
外部可調(diào)軟啟動時間以減小開機輸入電流過沖
可選FCCM或DCM模式
內(nèi)部集成可調(diào)線補
小體積封裝:QFN5*5-28

業(yè)界率先推出DDR5 RCD03工程樣片,是根據(jù)JEDEC DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),對DDR5 RCD產(chǎn)品進行的一次重要升級,也是DDR5系列產(chǎn)品規(guī)劃逐步落地的重要一步。
向業(yè)界送樣DDR5第三子代RCD工程樣片。隨著DDR5內(nèi)存技術(shù)不斷更新,我們的內(nèi)存接口芯片也在同步進行升級,以滿足信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展對內(nèi)存容量和帶寬不斷刷新的需求。后續(xù)我們還將規(guī)劃更高速率的DDR5 RCD子代產(chǎn)品,以助力全球內(nèi)存廠商及時進行產(chǎn)品研發(fā)和市場布局。
上海德懿電子科技有限公司 www.deyie.com
來源:eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考
新系列螺絲接頭鋁電解電容器---202 PML-ST,便于設(shè)計師在更小空間內(nèi)儲存更高能量。從35mmx60 mm到90mmx220mm,Vishay BCcomponents 202 PML-ST系列電容器有11種小型封裝外形尺寸,電容/電壓(CV)值高于前代解決方案,+85°C條件下紋波電流高達49.6A,ESR低至2mW,使用壽命長達10,000小時。
日前發(fā)布的電解電容器采用藍色套筒絕緣的圓柱形鋁殼,密封盤帶有減壓裝置,具有200V至450V額定電壓,56000μF至15000μF高容值/高壓組合。
例如,2200μF/400V額定CV器件以前采用65mmx105mm封裝,現(xiàn)封裝外形尺寸為50mmx105mm。電容器紋波電流和ESR優(yōu)于前代解決方案類似外形尺寸額定CV器件。例如,4700μF/400V額定CV器件紋波電流提高12%,ESR降低16%。
產(chǎn)品特性:
寬輸入范圍:4V-30V
集成兩個低內(nèi)阻8mΩ+10mΩ的同步NMOS
頻率范圍可調(diào):100kHz~1MHz
外部可調(diào)軟啟動時間以減小開機輸入電流過沖
可選FCCM或DCM模式
內(nèi)部集成可調(diào)線補
小體積封裝:QFN5*5-28

業(yè)界率先推出DDR5 RCD03工程樣片,是根據(jù)JEDEC DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),對DDR5 RCD產(chǎn)品進行的一次重要升級,也是DDR5系列產(chǎn)品規(guī)劃逐步落地的重要一步。
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