在4.5V至38V的輸入電壓范圍內(nèi)以全N溝道MOSFET工作，可產(chǎn)生范圍為0.6V至5V和準(zhǔn)確度為±0.75%的輸出電壓。通過監(jiān)視輸出電感器(DCR)兩端的壓差或通過使用檢測(cè)電阻器來(lái)檢測(cè)輸出電流。

可編程DCR溫度補(bǔ)償在很寬的溫度范圍內(nèi)維持一個(gè)準(zhǔn)確和恒定的電流限制設(shè)定點(diǎn)。強(qiáng)大的內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)器最大限度地降低了MOSFET的開關(guān)損耗，并允許使用多個(gè)并聯(lián)連接的MOSFET。

固定工作頻率可設(shè)定在250kHz至770kHz，或可用其內(nèi)部PLL同步至一個(gè)外部時(shí)鐘。LTC3829僅為90ns的最短接通時(shí)間使該器件非常適用于高降壓比應(yīng)用。

三相單輸出高效率(高達(dá)95%)同步降壓型DC/DC控制器LTC3829，該器件具多相(PolyPhase)工作模式、差分輸出電壓檢測(cè)和集成的鎖相環(huán)(PLL)時(shí)鐘同步�？梢詫�(duì)多達(dá)6個(gè)相位實(shí)施并聯(lián)和異相定時(shí)，以最大限度地減少針對(duì)高電流應(yīng)用(高達(dá)150A)的輸入和輸出濾波要求。

這款產(chǎn)品在互連技術(shù)和熱阻方面實(shí)現(xiàn)了最優(yōu)模塊設(shè)計(jì)，具有很高的電流利用率，因而十分高效。借助EconoDUAL™3 FF600R12ME4，用戶可以將功率范圍提高多達(dá)30%，而產(chǎn)品的封裝尺寸保持不變。

除熟悉的焊接式控制端之外，EconoDUAL™3系列的這款新產(chǎn)品還提供高度可靠的PressFIT壓接技術(shù)控制端。

FF1400R17IP4的新款PrimePACK™3模塊的電壓為1700V，電流為1400A，大大拓寬了PrimePACK™系列的功率范圍。

其目標(biāo)應(yīng)用包括：可再生能源、機(jī)車牽引、CAV（電動(dòng)工程車、商用車和農(nóng)用車）和工業(yè)驅(qū)動(dòng)等。

與30納米級(jí) MLC NAND相比，Samsung的20納米級(jí)MLC NAND提高50%的生產(chǎn)水平�；�20納米級(jí)、8GB和更高密度、SD卡的寫入性能比30納米級(jí) NAND提高30%，器件提供10級(jí)額定速度（讀取速度為20MB/s，寫入速度為10MB/s）。