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現(xiàn)代雙級(jí)架構(gòu)消除市電低頻率變化適應(yīng)不斷變化中頻閃標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)定輸出

發(fā)布時(shí)間:2023/12/19 23:29:21 訪問(wèn)次數(shù):76



XDPL8220進(jìn)一步壯大了其數(shù)字可配置LED驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品組合。有了這顆IC,照明行業(yè)可以實(shí)現(xiàn)其重要的特性——智能照明,并使終端用戶和制造商雙方都能從中獲益。這顆器件的原邊控制無(wú)需額外元件,可在節(jié)省成本的同時(shí),增強(qiáng)可靠性。

XDPL8220采用現(xiàn)代雙級(jí)架構(gòu),可以消除市電低頻率變化,適應(yīng)不斷變化中的頻閃標(biāo)準(zhǔn),確保穩(wěn)定輸出。

通過(guò)實(shí)現(xiàn)高能效及低待機(jī)功耗,保證了電子控制裝置(ECG)的持續(xù)運(yùn)行。XDPL8220的待機(jī)功率不足70 mW,可降低非活動(dòng)模式下的功耗,同時(shí)仍可對(duì)外部事件或用戶請(qǐng)求作出響應(yīng)。

這些功能使設(shè)備制造商和移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商能夠有效地驗(yàn)證支持LTE 熱點(diǎn)、室內(nèi)(LTE-Hi)小基站和LTE輔助授權(quán)接入(LTE-LAA)雙連通技術(shù)的終端設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備性能。


Propsim F32信道仿真器配備了靈活集成的LTE干擾模擬源,方便進(jìn)行簡(jiǎn)明、高效的LTE-LAA 和HetNet小基站技術(shù)性能測(cè)試。

結(jié)合Propsim F32無(wú)與倫比的多鏈路能力和對(duì)高達(dá)6GHz頻段的支持,增強(qiáng)型Propsim F32為用戶提供對(duì)所有現(xiàn)存及規(guī)劃中的LTE-LAA載波聚合和Wi-Fi分流外場(chǎng)部署場(chǎng)景。

CMOS技術(shù)的突破性隔離型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)驅(qū)動(dòng)器家族產(chǎn)品,這使得開(kāi)發(fā)人員能夠使用自己選擇的特定應(yīng)用和高容量的FET去替代過(guò)時(shí)的機(jī)電繼電器(EMR)和基于光耦合器的固態(tài)繼電器(SSR)。


新型Si875x系列產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)首款隔離型FET驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)旨在利用集成的CMOS隔離柵傳輸電源,這消除了通常所需的隔離的次級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)電源,減少了系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。

當(dāng)與分立FET搭配時(shí),Si875x驅(qū)動(dòng)器提供業(yè)內(nèi)一流的EMR/SSR替代解決方案,適用于電機(jī)和閥門(mén)控制器、HVAC繼電器、電池監(jiān)控、交流干線與通信交換機(jī)、HEV/EV汽車充電系統(tǒng)和其他工業(yè)和汽車應(yīng)用等。

HC32F460PETB



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這些功能使設(shè)備制造商和移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商能夠有效地驗(yàn)證支持LTE 熱點(diǎn)、室內(nèi)(LTE-Hi)小基站和LTE輔助授權(quán)接入(LTE-LAA)雙連通技術(shù)的終端設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備性能。


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當(dāng)與分立FET搭配時(shí),Si875x驅(qū)動(dòng)器提供業(yè)內(nèi)一流的EMR/SSR替代解決方案,適用于電機(jī)和閥門(mén)控制器、HVAC繼電器、電池監(jiān)控、交流干線與通信交換機(jī)、HEV/EV汽車充電系統(tǒng)和其他工業(yè)和汽車應(yīng)用等。

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