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芯片或模塊需工作電源用一個EN信號控制多個電源芯片使用需求

發(fā)布時間:2023/12/31 22:05:14 訪問次數(shù):120



反向截至電壓VRWM:TVS不導通的最高電壓;

二極管導通通過一定電流時兩端的電壓,隨電流增大而增大;

VRWM電壓下的反向漏電流;

TVS管允許通過的10/1000μs或8/20μs波的最大峰值電流。超過這個電流可能造成永久性損壞。由于功率限制,擊穿電壓高的管子允許通過的峰值電流越小;

TVS管的結(jié)電容比ESD器件大很多,單向的比雙向的大,結(jié)電容會影響TVS管的響應(yīng)時間,用于通訊總線時會限制總線帶寬。

小小的EN引腳,設(shè)置不當也會引起不小的麻煩,因此在滿足EN耐壓值的件下,根據(jù)實際情況將EN的輸入電壓穩(wěn)定在“合適”的范圍之內(nèi),也是非常重要的。


電路設(shè)計中,芯片或模塊往往需要多種工作電源,同時對這些電源的上電順序也提出了相應(yīng)的要求。

若沒有滿足這些上電時序的要求可能導致總線沖突、器件閂鎖等故障。例如某系統(tǒng)上的工作電源有VCC_Core、VCC_DDR、VCC_DIO三種電源,通過分立的電源芯片控制。此時可以通過調(diào)整電源芯片EN引腳的RC回路來控制上電時序,即R1和C1。

RC時間常數(shù)大的也必定產(chǎn)生動作延遲,即后開始工作,改變不同的參數(shù)得到不同的延時時間,從而控制分立電源芯片的上電時序。此法還可以滿足用一個EN信號控制多個電源芯片的使用需求。

分流電阻和運算放大器,這樣它們對電路的性能影響最小。


盡量將電阻兩端的壓降保持在低水平,使負載的負極在低側(cè)感應(yīng)時盡可能靠近接地,或者在高側(cè)感應(yīng)時盡可能靠近電源。

TVS管通過規(guī)定測試電流IT(通常為1mA)時的電壓,表示TVS管導通的標志電壓.

KP3211SGA



反向截至電壓VRWM:TVS不導通的最高電壓;

二極管導通通過一定電流時兩端的電壓,隨電流增大而增大;

VRWM電壓下的反向漏電流;

TVS管允許通過的10/1000μs或8/20μs波的最大峰值電流。超過這個電流可能造成永久性損壞。由于功率限制,擊穿電壓高的管子允許通過的峰值電流越小;

TVS管的結(jié)電容比ESD器件大很多,單向的比雙向的大,結(jié)電容會影響TVS管的響應(yīng)時間,用于通訊總線時會限制總線帶寬。

小小的EN引腳,設(shè)置不當也會引起不小的麻煩,因此在滿足EN耐壓值的件下,根據(jù)實際情況將EN的輸入電壓穩(wěn)定在“合適”的范圍之內(nèi),也是非常重要的。


電路設(shè)計中,芯片或模塊往往需要多種工作電源,同時對這些電源的上電順序也提出了相應(yīng)的要求。

若沒有滿足這些上電時序的要求可能導致總線沖突、器件閂鎖等故障。例如某系統(tǒng)上的工作電源有VCC_Core、VCC_DDR、VCC_DIO三種電源,通過分立的電源芯片控制。此時可以通過調(diào)整電源芯片EN引腳的RC回路來控制上電時序,即R1和C1。

RC時間常數(shù)大的也必定產(chǎn)生動作延遲,即后開始工作,改變不同的參數(shù)得到不同的延時時間,從而控制分立電源芯片的上電時序。此法還可以滿足用一個EN信號控制多個電源芯片的使用需求。

分流電阻和運算放大器,這樣它們對電路的性能影響最小。


盡量將電阻兩端的壓降保持在低水平,使負載的負極在低側(cè)感應(yīng)時盡可能靠近接地,或者在高側(cè)感應(yīng)時盡可能靠近電源。

TVS管通過規(guī)定測試電流IT(通常為1mA)時的電壓,表示TVS管導通的標志電壓.

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