轉(zhuǎn)向3納米可降低芯片和計(jì)算系統(tǒng)成本和功耗保持訊號(hào)完整性和性能

發(fā)布時(shí)間:2024/1/3 19:17:15 訪問(wèn)次數(shù):58

5nm制程，3nm制程的邏輯密度將增加約70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低25-30%。

Marvell將SerDes和互連技術(shù)整合至其旗艦硅解決方案中，包括Teralynx開(kāi)關(guān)，PAM4和相干DSP，Alaska以太網(wǎng)物理層(PHY)設(shè)備、OCTEON處理器、Bravera儲(chǔ)存控制器、Brightlane汽車以太網(wǎng)芯片組和定制化ASIC等。

轉(zhuǎn)向3納米可降低芯片和計(jì)算系統(tǒng)的成本和功耗，同時(shí)保持訊號(hào)完整性和性能。

SLC NAND Flash存儲(chǔ)器全系列產(chǎn)品將覆蓋512Mbit~16Gbit容量，其中2/4 Gbit SPI NAND Flash容量新品最高工作頻率將擴(kuò)展到120MHz(3.3V)/95MHz(1.8V)的High speed模式，16Gbit PPI NAND支持DDR高速接口，可滿足客戶更快讀寫(xiě)訪問(wèn)速度需求。

同時(shí)，全系產(chǎn)品會(huì)繼續(xù)提升耐寫(xiě)性指標(biāo)，滿足客戶高工規(guī)的應(yīng)用。

FM24/FM25系列串行EEPROM存儲(chǔ)器,低功耗超寬電壓FM24LN系列I2C串行EEPROM存儲(chǔ)器、FM24N/25N寬電壓高可靠I2C/SPI串行EEPROM，以及FM24C/FM25車規(guī)EEPROM三個(gè)系列的新產(chǎn)品。

產(chǎn)品開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)針對(duì)流片工藝平臺(tái)的特性，以及對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)品工作原理的深刻理解，對(duì)EEPROM存儲(chǔ)器讀寫(xiě)電路進(jìn)行了特別的優(yōu)化設(shè)計(jì)，大幅度提升了產(chǎn)品的性能及可靠性，為客戶提供了更多的產(chǎn)品選擇，可以滿足CCM、白電、工控、儀表、醫(yī)療、5G通訊、車載等各種應(yīng)用領(lǐng)域需求。

產(chǎn)品滿足擦寫(xiě)壽命≥400萬(wàn)次、數(shù)據(jù)保持時(shí)間≥100年的高可靠性要求，支持WLCSP-4Ball、SOP8、TSSOP8、TDFN8等多種封裝形式。

FM24N系列首發(fā)包含64K/128K/256K/512Kbit四種容量的I2C串行EEPROM.