SP6LI產(chǎn)品系列采用專為高電流SiC MOSFET功率模塊而設(shè)計的最低雜散電感封裝之一，具有五種標(biāo)準(zhǔn)模塊，在外殼溫度(Tc)為80°C的情況下，提供從1200V、210A至586A;

Tc同為80°C的情況下達(dá)到1700V、207A的相臂拓?fù)洹?/span>

極低雜散電感標(biāo)準(zhǔn)SP6LI封裝非常適合為用于高開關(guān)頻率、高電流和高效率應(yīng)用的SiC MOSFET器件改善性能，通過提供更小尺寸的電源系統(tǒng)解決方案，幫助客戶大幅降低設(shè)備需求。低電感封裝具有出色的開關(guān)特性，使客戶能夠開發(fā)更高性能的高可靠性系統(tǒng)，幫助他們從競爭中脫穎而出。

在這個系統(tǒng)中，IGBT部分選用了具備內(nèi)置快恢復(fù)二極管（FRD）的RBN75H65T1FPQ-A0，它支持最高650V的電壓和75A的電流，并采用了經(jīng)典的TO-247A封裝。

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和對更環(huán)保、更高效電力解決方案的需求增加，三相（T型）直流交流逆變器代表了電力轉(zhuǎn)換技術(shù)的新方向。

RX-E MCU系列配備了針對工業(yè)傳感設(shè)備優(yōu)化的24位ΔΣA/D轉(zhuǎn)換器。首款RX23E-A MCU的性能相當(dāng)于或優(yōu)于分立式ΔΣA/D轉(zhuǎn)換器的性能，因此RX23E-A在溫度控制器、計重秤、壓力表等測量模塊中得到了廣泛應(yīng)用。

A/D轉(zhuǎn)換器的選擇因應(yīng)用需求而有所不同。因此，擴(kuò)展了RX-E產(chǎn)品組合，并推出了集成更高性能ΔΣA/D轉(zhuǎn)換器的RX23E-B MCU。

RX23E-A和RX23E-B之間的主要區(qū)別在于內(nèi)置24位ΔΣA/D轉(zhuǎn)換器的數(shù)據(jù)速率和噪聲性能。