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死區(qū)時(shí)間補(bǔ)償控制無(wú)交互控制高級(jí)編碼器1通道定時(shí)器32位

發(fā)布時(shí)間:2024/1/18 8:50:06 訪問(wèn)次數(shù):58

在整流工況下,損耗主要集中在D1/D4管和T2/T3管,D1/D4存在導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗,T2/T3在換流時(shí)產(chǎn)生導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,而D2/D3和D5/D6僅存在導(dǎo)通損耗。

以F3L225R12W3H3器件(NPC1)在100kW PCS的仿真為例,仿真條件為Vdc=1000V,Vac=380V,F(xiàn)sw=16kHz,F(xiàn)out=50Hz,在逆變工況時(shí),NPC1的損耗主要集中在T1/T4管,包括導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗;T2/T3為常開(kāi)狀態(tài),損耗主要為導(dǎo)通損耗;

D5/D6在換流時(shí)導(dǎo)通,其損耗包括導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗。

3相補(bǔ)償輸出:分辨率:12.5ns,負(fù)載=15位

PFC控制:支持3相交錯(cuò)式PFC

通過(guò)外部輸入的急停功能高級(jí)矢量引擎+(A-VE+)1通道

用于矢量控制運(yùn)算和協(xié)調(diào)運(yùn)算的協(xié)處理器

有ADC/A-PMD

1個(gè)并聯(lián)電流檢測(cè)區(qū)域的擴(kuò)展控制

死區(qū)時(shí)間補(bǔ)償控制,無(wú)交互控制高級(jí)編碼器(A-ENC)1通道定時(shí)器32位:6通道

X470 Gaming M7 AC,通過(guò)將核心電壓拉高到1.4V、SoC電壓拉高到1.15V,成功將頻率穩(wěn)定在3.9GHz,而且能通過(guò)多番測(cè)試:CineBench R15單線程分?jǐn)?shù)自126分提高到151分,PCMark 10圖像處理得分自1609分提高到1924分,視頻編輯得分自1583分提高到1884分,應(yīng)用啟動(dòng)分自8735分提高到11471分,渲染及其他視覺(jué)工作得分自4591分提高到,目前TomsHardware的測(cè)試大致就是這么多。


Res厚膜陣列100 Ohm 5%±200ppm/°C ISOL環(huán)氧樹(shù)脂8針0804(4 X 0402)凸面SMD T / R YC124-JR-07100RL電阻陣列將多個(gè)電阻器集成到一個(gè)IC芯片中。



FR9863FS9

在整流工況下,損耗主要集中在D1/D4管和T2/T3管,D1/D4存在導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗,T2/T3在換流時(shí)產(chǎn)生導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,而D2/D3和D5/D6僅存在導(dǎo)通損耗。

以F3L225R12W3H3器件(NPC1)在100kW PCS的仿真為例,仿真條件為Vdc=1000V,Vac=380V,F(xiàn)sw=16kHz,F(xiàn)out=50Hz,在逆變工況時(shí),NPC1的損耗主要集中在T1/T4管,包括導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗;T2/T3為常開(kāi)狀態(tài),損耗主要為導(dǎo)通損耗;

D5/D6在換流時(shí)導(dǎo)通,其損耗包括導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗。

3相補(bǔ)償輸出:分辨率:12.5ns,負(fù)載=15位

PFC控制:支持3相交錯(cuò)式PFC

通過(guò)外部輸入的急停功能高級(jí)矢量引擎+(A-VE+)1通道

用于矢量控制運(yùn)算和協(xié)調(diào)運(yùn)算的協(xié)處理器

有ADC/A-PMD

1個(gè)并聯(lián)電流檢測(cè)區(qū)域的擴(kuò)展控制

死區(qū)時(shí)間補(bǔ)償控制,無(wú)交互控制高級(jí)編碼器(A-ENC)1通道定時(shí)器32位:6通道

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Res厚膜陣列100 Ohm 5%±200ppm/°C ISOL環(huán)氧樹(shù)脂8針0804(4 X 0402)凸面SMD T / R YC124-JR-07100RL電阻陣列將多個(gè)電阻器集成到一個(gè)IC芯片中。



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