電解質(zhì)因某種原因遭到絕緣破壞部分電機會瞬間蒸發(fā)恢復(fù)電容器功能
發(fā)布時間:2024/3/28 22:52:28 訪問次數(shù):58
使用DSP拍照技術(shù)的智能手機,在復(fù)雜光線下拍照時,會高速拍攝多幀原始RAW(無損格式)照片,并在DSP芯片中自動快速處理并合成1張RAW(無損格式)照片,最后通過ISP處理得到最終的JPG照片。
通過搭載定制版DAC解碼芯片,配合定制耳放,提升信噪比、動態(tài)、失真和輸出功率,信噪比達(dá)到122dB,動態(tài)120dB,失真-111dB,輸出幅度達(dá)到2.2VRms,可實現(xiàn)超越Xplay6的高品質(zhì)音樂體驗。
DSP拍照技術(shù),在DSP芯片帶來的高速處理優(yōu)勢下,還可以讓智能手機的夜間拍攝噪點大幅降低,保持更多細(xì)節(jié)、美顏等方面也更為出色。
和導(dǎo)電性高分子鋁電解電容器相比,降低了1/5的損失電流,為設(shè)備的節(jié)能作出貢獻(xiàn),并且取得了約4倍高的容量出現(xiàn)率。它實現(xiàn)了在125℃條件下,行業(yè)最高水準(zhǔn)的4000小時以上的高信賴化。
SH(自愈)型薄膜電容器的蒸鍍電極是薄膜狀金屬,當(dāng)電解質(zhì)因某種原因遭到絕緣破壞,該部分電機會瞬間蒸發(fā),恢復(fù)電容器的功能。
ARC HS4x系列具有高速10級雙發(fā)射流水線,支持亂序執(zhí)行,從而盡可能減少了處理器的空閑周期,盡可能增加了指令吞吐量。在典型的16-nm FinFET制程中,處理器可在2.5GHz下,提供高達(dá)每個內(nèi)核6000 DMIPS的性能,同時僅需要0.06 mm2面積且功率低至37 microwatts/MHz。
HS4X系列的目標(biāo)應(yīng)用是固態(tài)硬盤(SSD)、無線基帶、無線控制和家用網(wǎng)絡(luò)。
解決嵌入式系統(tǒng)面臨的諸多挑戰(zhàn),嵌入式系統(tǒng)越來越復(fù)雜,同時要求產(chǎn)品小面積、低能耗、低成本,這使開發(fā)者面臨巨大的挑戰(zhàn)。
使用DSP拍照技術(shù)的智能手機,在復(fù)雜光線下拍照時,會高速拍攝多幀原始RAW(無損格式)照片,并在DSP芯片中自動快速處理并合成1張RAW(無損格式)照片,最后通過ISP處理得到最終的JPG照片。
通過搭載定制版DAC解碼芯片,配合定制耳放,提升信噪比、動態(tài)、失真和輸出功率,信噪比達(dá)到122dB,動態(tài)120dB,失真-111dB,輸出幅度達(dá)到2.2VRms,可實現(xiàn)超越Xplay6的高品質(zhì)音樂體驗。
DSP拍照技術(shù),在DSP芯片帶來的高速處理優(yōu)勢下,還可以讓智能手機的夜間拍攝噪點大幅降低,保持更多細(xì)節(jié)、美顏等方面也更為出色。
和導(dǎo)電性高分子鋁電解電容器相比,降低了1/5的損失電流,為設(shè)備的節(jié)能作出貢獻(xiàn),并且取得了約4倍高的容量出現(xiàn)率。它實現(xiàn)了在125℃條件下,行業(yè)最高水準(zhǔn)的4000小時以上的高信賴化。
SH(自愈)型薄膜電容器的蒸鍍電極是薄膜狀金屬,當(dāng)電解質(zhì)因某種原因遭到絕緣破壞,該部分電機會瞬間蒸發(fā),恢復(fù)電容器的功能。
ARC HS4x系列具有高速10級雙發(fā)射流水線,支持亂序執(zhí)行,從而盡可能減少了處理器的空閑周期,盡可能增加了指令吞吐量。在典型的16-nm FinFET制程中,處理器可在2.5GHz下,提供高達(dá)每個內(nèi)核6000 DMIPS的性能,同時僅需要0.06 mm2面積且功率低至37 microwatts/MHz。
HS4X系列的目標(biāo)應(yīng)用是固態(tài)硬盤(SSD)、無線基帶、無線控制和家用網(wǎng)絡(luò)。
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