所有的高速芯片(頻率大于10MHz)需要類似于圖1連接的旁路電容來(lái)實(shí)現(xiàn)好的性能。

此處磁珠并非100%必要，但會(huì)增強(qiáng)高頻噪聲的隔離和去耦，通常較為有利。這里可能需要驗(yàn)證磁珠會(huì)不會(huì)在IC處理高電流時(shí)飽和。 

請(qǐng)注意，對(duì)于一些磁珠，即使在飽和發(fā)生之前，一些磁珠可能已經(jīng)非線性了，所以如果需要功率級(jí)以低失真輸出進(jìn)行工作，這也應(yīng)該被檢查驗(yàn)證。

電路中有耦合的電感線圈可以用去耦等效電路替代，其本質(zhì)還是等效的原理。

如果IB為10μA，則工作點(diǎn)為Q2.從放大功能的角度來(lái)看,信號(hào)的變動(dòng)幅度為+5μA，兩者都可以進(jìn)行放大，但若信號(hào)的變動(dòng)為+20μA，則在Q2點(diǎn)振幅會(huì)溢出。集電極電流Ic不會(huì)變到0以下，因此輸入信號(hào)波形的下部就被截去了。

從此意義上來(lái)說(shuō)，若工作點(diǎn)選擇Q1，勉強(qiáng)可以使集電極電流Ic追隨輸入信號(hào)的變化。但輸入信號(hào)更大的時(shí)候，就必須考慮減小負(fù)載電阻或更換晶體管。

BT151-500R

若電路中多個(gè)線圈兩兩有互感，則其去耦等效電路需要逐對(duì)一一消除耦合。

一般來(lái)講,高速信號(hào)接口上串電阻基本就是阻抗匹配作用,一般來(lái)說(shuō)如果LAYOUT比較好此電阻貼0歐沒(méi)問(wèn)題的,如果出現(xiàn)問(wèn)題,就可以通過(guò)改變串連的小電阻來(lái)調(diào)節(jié)信號(hào)質(zhì)量，從而達(dá)到消除過(guò)沖、振鈴目的。

由于IGBT集電極產(chǎn)生較大的電壓尖脈沖，增加IGBT柵極串聯(lián)電阻RG有利于其安全工作。但是棚極電阻RG不能太大也不能太小，如果RG增大，則開通關(guān)斷時(shí)間延長(zhǎng)，使得開通能耗增加;相反，如果RG太小，則使得didt增加，容易產(chǎn)生誤導(dǎo)通。

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