正如半導(dǎo)體國際雜志上所說的那樣，在今年的spie microlithography會議上，光刻領(lǐng)域的技術(shù)專家們共聚一堂并發(fā)表了他們的最新研究成果。毫無疑問本次會議將會產(chǎn)生更多的新聞和技術(shù)熱點(diǎn)，而近來公布的一些關(guān)于前沿浸沒式光刻技術(shù)和極紫外光刻技術(shù)（euv)的新聞以及研究成果已經(jīng)受到了廣泛的關(guān)注和極大的重視。

　　其中的一條新聞是nikon宣布一月份的時(shí)候它的第一臺arf浸沒式掃描光刻設(shè)備nsr-s609b已經(jīng)出貨。這臺設(shè)備的數(shù)值孔徑達(dá)到1.07，采購方是一家主要的半導(dǎo)體生產(chǎn)商。這臺設(shè)備將用于55納米節(jié)點(diǎn)的內(nèi)存產(chǎn)品的量產(chǎn)并用于研發(fā)下一代45納米節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵技術(shù)。

　　nikon獨(dú)創(chuàng)的局部填充技術(shù)消除了浸沒式光刻設(shè)備產(chǎn)生的缺陷，解決了氣泡、水跡以及硅片背部污染等問題。而且這項(xiàng)技術(shù)也防止了浸沒液體的蒸發(fā)，有助于改善與浸沒技術(shù)相關(guān)的套準(zhǔn)問題。

　　最近nikon在它的光刻設(shè)備中引入了先進(jìn)的tandem平臺，同樣這個(gè)平臺也安裝在了nsr-s609b中。雙平臺設(shè)計(jì)的tandem平臺具備不同功能，它優(yōu)化了浸沒式光刻設(shè)備的整體表現(xiàn)。其中，曝光平臺可以實(shí)現(xiàn)高速曝光和移動；校準(zhǔn)平臺在每次硅片交換的間隙校準(zhǔn)設(shè)備，保持其優(yōu)異的表現(xiàn)。使用tandem平臺，設(shè)備的套準(zhǔn)精度可以降低到7納米，而且重復(fù)校準(zhǔn)、測試有助于消除波動和漂移，使設(shè)備始終保持穩(wěn)定的表現(xiàn)。

　　另一條新聞來自羅門哈斯電子材料公司公布了他們在浸沒式光刻技術(shù)上取得的最新進(jìn)展。羅門哈斯已經(jīng)成為imec指定的材料供應(yīng)商，他們的epic 2330光刻膠將成為65納米浸沒式光刻技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)用膠。

　　“羅門哈斯在epic系列光刻膠的研發(fā)上投入了大量的人力和物力，現(xiàn)在這些投入獲得了回報(bào)，epic系列光刻膠在通孔工藝層上的優(yōu)異表現(xiàn)給人留下了深刻的印象。使用這種光刻膠曝光后得到的通孔圖形圓潤、光滑并且密集孔和疏孔都有較大的焦深，”羅門哈斯193納米光刻膠市場拓展部經(jīng)理robert kavanagh說：“而且這種光刻膠在傳統(tǒng)干法光刻技術(shù)和浸沒式光刻技術(shù)的表現(xiàn)上沒有明顯的差異�！�

　　當(dāng)用于浸沒式光刻時(shí)，epic 2330既可以不使用頂部疏水涂層也能完全兼容現(xiàn)在主流的各種頂部疏水涂層。這種經(jīng)過優(yōu)化的第二代光刻膠當(dāng)與浸沒液體接觸時(shí)，不會產(chǎn)生液體污染問題，從而滿足甚至超過光刻機(jī)設(shè)備供應(yīng)商對水洗失的要求。

　　羅門哈斯電子材料公司近期又推出了它的第四代epic 3000系列浸沒式光刻膠，其目標(biāo)是45納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)。公司介紹說，基于先進(jìn)的光刻設(shè)備的研究表明，epic 3000系列浸沒式光刻膠沒有水跡缺陷。

　　極紫外光刻技術(shù)也同樣受到了來自各方面的重視。sematech north宣布它的研究人員在euv掩模版基板清洗技術(shù)的研究上取得了重大的突破。

　　工程技術(shù)人員使用獨(dú)創(chuàng)的清洗技術(shù)能夠在石英基板上完全移除43納米直徑的顆粒。當(dāng)應(yīng)用極紫外光刻技術(shù)時(shí)，在芯片研發(fā)階段要求襯底上的缺陷直徑不超過40納米，而量產(chǎn)階段甚至要求不超過25納米�！皾M足這樣一個(gè)需求至關(guān)重要的一項(xiàng)是用于生產(chǎn)的掩模版基板實(shí)現(xiàn)零缺陷�！� sematech north掩模版基板研發(fā)中心項(xiàng)目經(jīng)理david krick說。

　　krick解釋道，掩模版基板研發(fā)中心開發(fā)的清洗技術(shù)的重要性在于它保證了極紫外光刻技術(shù)量產(chǎn)的可行性。得到合乎生產(chǎn)要求的掩模版，首先是要求保證制造的基板無本征缺陷，如坑或劃傷等；隨后采用上述清洗技術(shù)對基板進(jìn)行清洗，移除外來缺陷，使襯底上的缺陷直徑低于25納米；最后在襯底表面沉積多層反射涂層，依靠這套解決方案，保證了掩模版基板能夠有效的反射極紫外光能量。

　　“由于掩模版基板上的任何缺陷都將影響多層反射膜的沉積工藝，甚至報(bào)廢整塊掩模版，因此在制造零缺陷的掩模版基板過程中，清洗工藝扮演著極為重要的角色�！� krick說。另一個(gè)與實(shí)現(xiàn)零缺陷掩模版基板息息相關(guān)的環(huán)節(jié)是基板供應(yīng)商必須把基板的本征缺陷尺寸控制在25納米以內(nèi)，他補(bǔ)充道。

　　krick說清洗技術(shù)也受到了測量技術(shù)的限制，因?yàn)楝F(xiàn)在最先進(jìn)的商用掩模版檢測系統(tǒng)也不能可靠的偵測直徑小于50納米的缺陷。現(xiàn)在，sematech的技術(shù)人員使用由lasertec corp.提供的先進(jìn)共焦顯微鏡采用反復(fù)清洗和全面覆蓋測量技術(shù)有效的檢測小于50納米的顆粒缺陷。

　　盡管實(shí)現(xiàn)制造零缺陷的掩模版基板眼下尚有許多工作和挑戰(zhàn)，然而最近的成果確實(shí)向前邁進(jìn)了一大步。