雙極型器件layout一覽
發(fā)布時(shí)間:2008/6/5 0:00:00 訪問(wèn)次數(shù):309
jfet02 lpnp30x2 npn16x1 npn2x1 npn32x1
npn4x1 npn8x1 pjfw20l1 pjfw2l1 pjfw4l1
res100k res1k0lb res25lp spnp2x15 spnp2x30
spnp2x6
jfet02 lpnp30x2 npn16x1 npn2x1 npn32x1
npn4x1 npn8x1 pjfw20l1 pjfw2l1 pjfw4l1
res100k res1k0lb res25lp spnp2x15 spnp2x30
spnp2x6
上一篇：集成電路歷史回眸
上一篇：EEPROM工作原理是怎樣的？
相關(guān)技術(shù)資料- 8-9MPS 啟動(dòng)器開(kāi)發(fā)板/評(píng)估套件（EVKT/PKT）
- 8-912V、6A 四路降壓電源管理 IC
- 8-9數(shù)字恒定導(dǎo)通時(shí)間控制模式（COT）
- 8-9同步降壓PWM DC-DC線性電源控制器應(yīng)用簡(jiǎn)述
- 8-9 ADC 技術(shù)參數(shù)與應(yīng)用需求之間關(guān)系探究
- 8-9反激變換器傳導(dǎo)和輻射電磁干擾分析和抑制技術(shù)
- 8-8電磁與聲學(xué)結(jié)合混合濾波技術(shù)（Hybrid）功能解析
- 8-8超高性能芯片式電磁濾波技術(shù)（SPD）應(yīng)用詳解
- 8-8紫、藍(lán)、綠光激光二極管工藝封測(cè)
- 8-8SPICE模型ROHM Level 1（L1）參數(shù)應(yīng)
- 8-8高性能碳化硅（SiC）MOS功率模塊應(yīng)用探究
- 8-8新一代光纖通信的光收發(fā)器接收器芯片
- 相關(guān)IC型號(hào)
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 素晶胞與復(fù)晶胞(體心晶胞、面心晶胞和底心晶胞
- 納米技術(shù)材料
- 關(guān)于 .cdsenv 的小技巧
- `celldefine 和 `endcell
- 測(cè)試硬件簡(jiǎn)介－－－探針卡(prober ca
- 畫(huà)standard cell的注意點(diǎn)
- 什么是載流子遷移率及遷移率影響芯片的那些性能
- 晶胞中原子的坐標(biāo)與計(jì)數(shù)
- 新型低介電常數(shù)材料研究進(jìn)展
- supply0和supply1線網(wǎng)
推薦技術(shù)資料
- 羅盤(pán)誤差及補(bǔ)償
- 造成羅盤(pán)誤差的主要因素有傳感器誤差、其他磁材料干擾等。... [詳細(xì)]
- MPS 啟動(dòng)器開(kāi)發(fā)板/評(píng)估套件（EVKT/P
- 12V、6A 四路降壓電源管理 IC
- 數(shù)字恒定導(dǎo)通時(shí)間控制模式（COT）
- 同步降壓PWM DC-DC線性
- ADC 技術(shù)參數(shù)與應(yīng)用需求之
- 反激變換器傳導(dǎo)和輻射電磁干擾分
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
