一．畫pmos 的版圖（新建一個名為pmos 的cell）
1． 畫出有源區(qū)
在lsw 中，點(diǎn)擊active（dg），注意這時lsw 頂部顯示active 字樣，說明active 層為當(dāng)前所選層次。然后點(diǎn)擊icon menu 中的rectangle icon，在vituoso editing 窗口中畫一個寬為3.6u，長為6u 的矩形。這里我們?yōu)榱硕?biāo)，必須得用到標(biāo)尺。點(diǎn)擊
misc/ruler 即可得到。清除標(biāo)尺點(diǎn)擊misc/clear ruler。如果你在繪制時出錯，點(diǎn)擊需要去除的部分，然后點(diǎn)擊delete icon。
2． 畫柵
在lsw 中，點(diǎn)擊poly（dg），畫矩形。與有源區(qū)的位置關(guān)系如下圖：

3．畫整個pmos
為了表明我們畫的是pmos 管，我們必須在剛才圖形的基礎(chǔ)上添加一個pselect 層，這一層
將覆蓋整個有源區(qū)0.6u。接著，我們還要在整個管子外圍畫上nwell，它覆蓋有源區(qū)1.8u。
如下圖所示：

4．襯底連接
pmos 的襯底（nwell）必須連接到vdd。首先，畫一個1.2u 乘1.2u 的active 矩形；然后在這個矩形的邊上包圍一層nselect 層（覆蓋active0。6u）。最后將nwell 的矩形拉長，完成后如下圖所示：

這樣一個pmos 的版圖就大致完成了。接著我們要給這個管子布線。
二．布線
pmos 管必須連接到輸入信號源和電源上，因此我們必須在原圖基礎(chǔ)上布金屬線。
1． 首先我們要完成有源區(qū)（源區(qū)和漏區(qū)）的連接。在源區(qū)和漏區(qū)上用contact（dg）層
分別畫三個矩形，尺寸為0.6 乘0.6。注意：contact 間距為1.5u。
2． 用metal1（dg）層畫兩個矩形，他們分別覆蓋源區(qū)和漏區(qū)上的contact，覆蓋長度為
0.3u。
3． 為完成襯底連接，我們必須在襯底的有源區(qū)中間添加一個contact。這個contact 每
邊都被active 覆蓋0.3u。
4． 畫用于電源的金屬連線，寬度為3u。將其放置在pmos 版圖的最上方。
布線完畢后的版圖如下圖所示：

圖2-3-1 pmos 版圖
通過以上步驟我們完成了pmos 的版圖繪制。接下來我們將繪制出nmos 的版圖。
三．畫nmos 的版圖
繪制nmos 管的步驟同pmos 管基本相同（新建一個名為nmos 的cell）。無非是某些參
數(shù)變化一下。下面給出nmos 管的圖形及一些參數(shù)，具體繪制步驟就不再贅述。

四．完成整個非門的繪制及繪制輸入、輸出

1． 新建一個cell（inv）。將上面完成的兩個版圖拷貝到其中，并以多晶硅為基準(zhǔn)將兩圖對齊。然后，我們可以將任意一個版圖的多晶硅延長和另外一個的多晶硅相交。
2． 輸入：為了與外部電路連接，我們需要用到metal2。但poly 和metal2 不能直接相連，因此我們必須得借助metal1 完成連接。具體步驟是：
a． 在兩mos 管之間畫一個0.6 乘0.6 的contact
b． 在這個contact 上覆蓋poly，過覆蓋0.3u
c． 在這個contact 的左邊畫一個0.6 乘0.6 的via，然后在其上覆蓋metal2（dg），過覆蓋0.3u
d． 用metal1 連接via 和contact，過覆蓋為0.3u
從下圖中