-光刻是指將集成電路圖形從掩膜版上轉(zhuǎn)移到硅片上的工藝過(guò)程

光刻技術(shù)是集成電路的關(guān)鍵技術(shù)之一
　　在整個(gè)產(chǎn)品制造中是重要的經(jīng)濟(jì)影響因子，光刻成本占據(jù)了整個(gè)制造成本的35％

　　光刻也是決定了集成電路按照摩爾定律發(fā)展的一個(gè)重要原因，如果沒(méi)有光刻技術(shù)的
　　進(jìn)步，集成電路就不可能從微米進(jìn)入深亞微米再進(jìn)入納米時(shí)代。。

光刻系統(tǒng)的組成：

　　　　光刻機(jī)（曝光工具）
　　　　掩膜版
　　　　光刻膠

主要指標(biāo)：

　　　　分辨率w（resolution）-> 光刻系統(tǒng)所能分辨和加工的最小線條尺寸
　　　　焦深(dof-depth of focus) -> 投影光學(xué)系統(tǒng)可清晰成象的尺度范圍
　　　　關(guān)鍵尺寸（cd-critical dimension）控制
　　　　對(duì)準(zhǔn)和套刻精度(alignment and overlay)
　　　　產(chǎn)率(throughout)
　　　　價(jià)格

其中，w是決定光刻系統(tǒng)最重要的指標(biāo)，也是決定芯片最小特征尺寸的原因。
其由瑞歷定律決定：　r = k1r/na ，　其中　r 是光刻波的波長(zhǎng)。

提高光刻分辨率的途徑:

　　　　減小波長(zhǎng)r, 其中，　光刻加工極限值：r/2 , 即半波長(zhǎng)的分辨率
　　　　增加數(shù)值孔徑
　　　　優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)（分辨率增強(qiáng)技術(shù)）
　　　　減小k1

主流光刻技術(shù):
248nm duv技術(shù)（krf準(zhǔn)分子激光） -> 0.10um 特征尺寸
193nm duv技術(shù)（arf準(zhǔn)分子激光） -> 90nm 特征尺寸

新一代的替代光刻技術(shù):
immersion 193nm技術(shù)
157nm f2
euv光刻 紫外線光刻
電子束投影光刻
x射線光刻
離子束光刻
納米印制光刻

光學(xué)透鏡
　　　　透射式透鏡（248nm、193nm)
　　　　反射式透鏡（157nm）

掩膜版
　　　　由透光的襯底材料（石英玻璃）和不透光金屬吸收層材料（主要是金屬cr）組成。
　　　　通常要在表面淀積一層抗深紫外光損傷的增光型保護(hù)涂層

分辨率增強(qiáng)技術(shù)(ret):
　　　　　step-scan 技術(shù)
　　　　　偏軸照明(oai)
　　　　　鄰近效應(yīng)校正(opc)
　　　　　移相掩膜(psm)
　　　　　具有化學(xué)增強(qiáng)放大功能的快速感光光刻膠
　　　　　光刻膠修剪(resist trimming)
　　　　　抗反射功能和表面感光后的多層光刻膠

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jiangzh2014
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厲害！

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jiangzh2014
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集成電路系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)技術(shù)和應(yīng)用

摘要
由于集成電路設(shè)計(jì)水平和工藝技術(shù)的提高，集成電路規(guī)模越來(lái)越大，已可以將整個(gè)系統(tǒng)集成為一個(gè)芯片（目前已可在一個(gè)芯片上集成108個(gè)晶體管）。這就使得將含有軟硬件多種功能的電路組成的系統(tǒng)（或子系統(tǒng)）集成于單一芯片成為可能。90年代末期集成電路已經(jīng)進(jìn)入系統(tǒng)級(jí)芯片（soc）時(shí)代。20世紀(jì)80年代，專用集成電路用標(biāo)準(zhǔn)邏輯門作為基本單元，由加工線供給設(shè)計(jì)者無(wú)償使用以縮短設(shè)計(jì)周期；90年代末進(jìn)入系統(tǒng)級(jí)芯片時(shí)代，在一個(gè)芯片上包括了cpu、dsp、邏輯電路、模擬電路、射頻電路、存儲(chǔ)器和其它電路模塊以及嵌入軟件等，并相互連接構(gòu)成完整的系統(tǒng)。由于系統(tǒng)設(shè)計(jì)日益復(fù)雜，設(shè)計(jì)業(yè)出現(xiàn)了專門從事開(kāi)發(fā)各種具有上述功能的集成電路模塊（稱做知識(shí)產(chǎn)權(quán)的內(nèi)核，即ip核）的工廠，并把這些模塊通過(guò)授權(quán)方式提供給其他系統(tǒng)設(shè)計(jì)者有償使用。設(shè)計(jì)者將以ip核作為基本單元進(jìn)行設(shè)計(jì)。ip核的重復(fù)使用既縮短了系統(tǒng)設(shè)計(jì)周期，又提高了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的成功率。研究表明，與ic組成的系統(tǒng)相比，由于soc設(shè)計(jì)能夠綜合并全盤考慮整個(gè)系統(tǒng)的各種情況，可以在同樣工藝技術(shù)條件下實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)指標(biāo)。21世紀(jì)將是soc技術(shù)真正快速發(fā)展的時(shí)期。
近年來(lái)由于整機(jī)的便攜式發(fā)展和系統(tǒng)小型化的趨勢(shì)，要求芯片上集成更多不同類型的元器件，如si-cmosic、gaas-rfic、各類無(wú)源元件、光機(jī)電器件、天線、連接器和傳感器等。單一材料和標(biāo)準(zhǔn)工藝的soc就受到了限制。近年來(lái)在soc基礎(chǔ)上快速發(fā)展的系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)，即在一個(gè)封裝內(nèi)不僅可以組裝多個(gè)芯片，還可以將包含上述不同類型的器件和電路芯片疊在一起，構(gòu)建成更為復(fù)雜的、完整的系統(tǒng)。
sip與soc相比較具有：

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（1）可提供更多新功能；
（2）多種工藝兼容性好；
（3）靈活性和適應(yīng)性強(qiáng)；
（4）低成本；
（5）易于分塊測(cè)試；
(6)開(kāi)發(fā)周期較短等優(yōu)點(diǎn)。
soc和sip二者互為補(bǔ)充，一般認(rèn)為soc主要應(yīng)用于更新?lián)Q代較慢的產(chǎn)品和軍事裝備要求高性能的產(chǎn)品，sip主要用于換代周期較短的消費(fèi)類產(chǎn)品，如手機(jī)等。sip在合格