smart-cut技術(shù)是一種注入氫離子然后進行剝離的技術(shù)，即在鍵合的一片晶片上注入氫離子，然后和另一硅片在一定溫度下鍵合。鍵合熱處理溫度在大約500℃時，氫離子注入處會形成連續(xù)的空腔，從而自動剝離形成soi結(jié)構(gòu)。鍵合soi最大缺點是難以獲得較薄（< 100 nm）的硅膜, 這就限制了其在高速ulsi、低壓、低功耗方面的應(yīng)用。為了解決這一問題，m. bruel等提出的利用鍵合技術(shù)的智能剝離技術(shù)（smart-cut）獲得超薄的硅層^[31],由于該項技術(shù)在超薄硅層制備方面的優(yōu)勢，得到了迅速的發(fā)展