PCB水平電鍍技術(shù)
發(fā)布時(shí)間:2008/6/5 0:00:00 訪問(wèn)次數(shù):367
一、概述
隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展,印制電路板制造向多層化、積層化、功能化和集成化方向迅速的發(fā)展。促使印制電路設(shè)計(jì)大量采用微小孔、窄間距、細(xì)導(dǎo)線進(jìn)行電路圖形的構(gòu)思和設(shè)計(jì),使得印制電路板制造技術(shù)難度更高,特別是多層板通孔的縱橫比超過(guò)5:1及積層板中大量采用的較深的盲孔,使常規(guī)的垂直電鍍工藝不能滿足高質(zhì)量、高可靠性互連孔的技術(shù)要求。其主要原因需從電鍍?cè)黻P(guān)于電流分布狀態(tài)進(jìn)行分析,通過(guò)實(shí)際電鍍時(shí)發(fā)現(xiàn)孔內(nèi)電流的分布呈現(xiàn)腰鼓形,出現(xiàn)孔內(nèi)電流分布由孔邊到孔中央逐漸降低,致使大量的銅沉積在表面與孔邊,無(wú)法確?字醒胄桡~的部位銅層應(yīng)達(dá)到的標(biāo)準(zhǔn)厚度,有時(shí)銅層極薄或無(wú)銅層,嚴(yán)重時(shí)會(huì)造成無(wú)可挽回的損失,導(dǎo)致大量的多層板報(bào)廢。為解決量產(chǎn)中產(chǎn)品質(zhì)量問(wèn)題,目前都從電流及添加劑方面去解決深孔電鍍問(wèn)題。在高縱橫比印制電路板電鍍銅工藝中,大多都是在優(yōu)質(zhì)的添加劑的輔助作用下,配合適度的空氣攪拌和陰極移動(dòng),在相對(duì)較低的電流密度條件下進(jìn)行的。使孔內(nèi)的電極反應(yīng)控制區(qū)加大,電鍍添加劑的作用才能顯示出來(lái),再加上陰極移動(dòng)非常有利于鍍液的深鍍能力的提高,鍍件的極化度加大,鍍層電結(jié)晶過(guò)程中晶核的形成速度與晶粒長(zhǎng)大速度相互補(bǔ)償,從而獲得高韌性銅層。
然而當(dāng)通孔的縱橫比繼續(xù)增大或出現(xiàn)深盲孔的情況下,這兩種工藝措施就顯得無(wú)力,于是產(chǎn)生水平電鍍技術(shù)。它是垂直電鍍法技術(shù)發(fā)展的繼續(xù),也就是在垂直電鍍工藝的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的新穎電鍍技術(shù)。這種技術(shù)的關(guān)鍵就是應(yīng)制造出相適應(yīng)的、相互配套的水平電鍍系統(tǒng),能使高分散能力的鍍液,在改進(jìn)供電方式和其它輔助裝置的配合下,顯示出比垂直電鍍法更為優(yōu)異的功能作用。
二、水平電鍍?cè)砗?jiǎn)介
水平電鍍與垂直電鍍方法和原理是相同的,都必須具有陰陽(yáng)兩極,通電后產(chǎn)生電極反應(yīng)使電解液主成份產(chǎn)生電離,使帶電的正離子向電極反應(yīng)區(qū)的負(fù)相移動(dòng);帶電的負(fù)離子向電極反應(yīng)區(qū)的正相移動(dòng),于是產(chǎn)生金屬沉積鍍層和放出氣體。因?yàn)榻饘僭陉帢O沉積的過(guò)程分為三步:即金屬的水化離子向陰極擴(kuò)散;第二步就是金屬水化離子在通過(guò)雙電層時(shí),逐步脫水,并吸附在陰極的表面上;第三步就是吸附在陰極表面的金屬離子接受電子而進(jìn)入金屬晶格中。從實(shí)際觀察到作業(yè)槽的情況是固相的電極與液相電鍍液的界面之間的無(wú)法觀察到的異相電子傳遞反應(yīng)。其結(jié)構(gòu)可用電鍍理論中的雙電層原理來(lái)說(shuō)明,當(dāng)電極為陰極并處于極化狀態(tài)情況下,則被水分子包圍并帶有正電荷的陽(yáng)離子,因靜電作用力而有序的排列在陰極附近,最靠近陰極的陽(yáng)離子中心點(diǎn)所構(gòu)成的設(shè)相面而稱之亥姆霍茲(helmholtz)外層,該外層距電極的距離約約1-10納米。但是由于亥姆霍茲外層的陽(yáng)離子所帶正電荷的總電量,其正電荷量不足以中和陰極上的負(fù)電荷。而離陰極較遠(yuǎn)的鍍液受到對(duì)流的影響,其溶液層的陽(yáng)離子濃度要比陰離子濃度高一些。此層由于靜電力作用比亥姆霍茲外層要小,又要受到熱運(yùn)動(dòng)的影響,陽(yáng)離子排列并不像亥姆霍茲外層緊密而又整齊,此層稱之謂擴(kuò)散層。擴(kuò)散層的厚度與鍍液的流動(dòng)速率成反比。也就是鍍液的流動(dòng)速率越快,擴(kuò)散層就越薄,反則厚,一般擴(kuò)散層的厚度約5-50微米。離陰極就更遠(yuǎn),對(duì)流所到達(dá)的鍍液層稱之謂主體鍍液。因?yàn)槿芤旱漠a(chǎn)生的對(duì)流作用會(huì)影響到鍍液濃度的均勻性。擴(kuò)散層中的銅離子靠鍍液靠擴(kuò)散及離子的遷移方式輸送到亥姆霍茲外層。而主體鍍液中的銅離子卻靠對(duì)流作用及離子遷移將其輸送到陰極表面。所在在水平電鍍過(guò)程中,鍍液中的銅離子是靠三種方式進(jìn)行輸送到陰極的附近形成雙電層。
鍍液的對(duì)流的產(chǎn)生是采用外部現(xiàn)內(nèi)部以機(jī)械攪拌和泵的攪拌、電極本身的擺動(dòng)或旋轉(zhuǎn)方式,以及溫差引起的電鍍液的流動(dòng)。在越靠近固體電極的表面的地方,由于其磨擦阻力的影響至使電鍍液的流動(dòng)變得越來(lái)越緩慢,此時(shí)的固體電極表面的對(duì)流速率為零。從電極表面到對(duì)流鍍液間所形成的速率梯度層稱之謂流動(dòng)界面層。該流動(dòng)界面層的厚度約為擴(kuò)散層厚度的的十倍,故擴(kuò)散層內(nèi)離子的輸送幾乎不受對(duì)流作用的影響。
在電埸的作用下,電鍍液中的離子受靜電力而引起離子輸送稱之謂離子遷移。其遷移的速率用公式表示如下:u = zeoe/6πrη要。其中u為離子遷移速率、z為離子的電荷數(shù)、eo為一個(gè)電子的電荷量(即1.61019c)、e為電位、r?yàn)樗想x子的半徑、η為電鍍液的粘度。根據(jù)方程式的計(jì)算可以看出,電位e降落越大, 電鍍液的粘度越小,離子遷移的速率也就越快。
根據(jù)電沉積理論,電鍍時(shí),位于陰極上的印制電路板為非理想的極化電極,吸附在陰極的表面上的銅離子獲得電子而被還原成銅原子,而使靠近陰極的銅離子濃度降低。因此,陰極附近會(huì)形成銅離子濃度梯度。銅離子濃度比主體鍍液的濃度低的這一層鍍液即為鍍液的擴(kuò)散層。而主體鍍液中的銅離子濃度較高,會(huì)向陰極附近銅離子濃度較低的地方,進(jìn)行擴(kuò)散,不斷地補(bǔ)充陰極區(qū)域。印制電路板類似一個(gè)平面陰極,其電流的大小與擴(kuò)散層的厚度的關(guān)系
一、概述
隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展,印制電路板制造向多層化、積層化、功能化和集成化方向迅速的發(fā)展。促使印制電路設(shè)計(jì)大量采用微小孔、窄間距、細(xì)導(dǎo)線進(jìn)行電路圖形的構(gòu)思和設(shè)計(jì),使得印制電路板制造技術(shù)難度更高,特別是多層板通孔的縱橫比超過(guò)5:1及積層板中大量采用的較深的盲孔,使常規(guī)的垂直電鍍工藝不能滿足高質(zhì)量、高可靠性互連孔的技術(shù)要求。其主要原因需從電鍍?cè)黻P(guān)于電流分布狀態(tài)進(jìn)行分析,通過(guò)實(shí)際電鍍時(shí)發(fā)現(xiàn)孔內(nèi)電流的分布呈現(xiàn)腰鼓形,出現(xiàn)孔內(nèi)電流分布由孔邊到孔中央逐漸降低,致使大量的銅沉積在表面與孔邊,無(wú)法確?字醒胄桡~的部位銅層應(yīng)達(dá)到的標(biāo)準(zhǔn)厚度,有時(shí)銅層極薄或無(wú)銅層,嚴(yán)重時(shí)會(huì)造成無(wú)可挽回的損失,導(dǎo)致大量的多層板報(bào)廢。為解決量產(chǎn)中產(chǎn)品質(zhì)量問(wèn)題,目前都從電流及添加劑方面去解決深孔電鍍問(wèn)題。在高縱橫比印制電路板電鍍銅工藝中,大多都是在優(yōu)質(zhì)的添加劑的輔助作用下,配合適度的空氣攪拌和陰極移動(dòng),在相對(duì)較低的電流密度條件下進(jìn)行的。使孔內(nèi)的電極反應(yīng)控制區(qū)加大,電鍍添加劑的作用才能顯示出來(lái),再加上陰極移動(dòng)非常有利于鍍液的深鍍能力的提高,鍍件的極化度加大,鍍層電結(jié)晶過(guò)程中晶核的形成速度與晶粒長(zhǎng)大速度相互補(bǔ)償,從而獲得高韌性銅層。
然而當(dāng)通孔的縱橫比繼續(xù)增大或出現(xiàn)深盲孔的情況下,這兩種工藝措施就顯得無(wú)力,于是產(chǎn)生水平電鍍技術(shù)。它是垂直電鍍法技術(shù)發(fā)展的繼續(xù),也就是在垂直電鍍工藝的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的新穎電鍍技術(shù)。這種技術(shù)的關(guān)鍵就是應(yīng)制造出相適應(yīng)的、相互配套的水平電鍍系統(tǒng),能使高分散能力的鍍液,在改進(jìn)供電方式和其它輔助裝置的配合下,顯示出比垂直電鍍法更為優(yōu)異的功能作用。
二、水平電鍍?cè)砗?jiǎn)介
水平電鍍與垂直電鍍方法和原理是相同的,都必須具有陰陽(yáng)兩極,通電后產(chǎn)生電極反應(yīng)使電解液主成份產(chǎn)生電離,使帶電的正離子向電極反應(yīng)區(qū)的負(fù)相移動(dòng);帶電的負(fù)離子向電極反應(yīng)區(qū)的正相移動(dòng),于是產(chǎn)生金屬沉積鍍層和放出氣體。因?yàn)榻饘僭陉帢O沉積的過(guò)程分為三步:即金屬的水化離子向陰極擴(kuò)散;第二步就是金屬水化離子在通過(guò)雙電層時(shí),逐步脫水,并吸附在陰極的表面上;第三步就是吸附在陰極表面的金屬離子接受電子而進(jìn)入金屬晶格中。從實(shí)際觀察到作業(yè)槽的情況是固相的電極與液相電鍍液的界面之間的無(wú)法觀察到的異相電子傳遞反應(yīng)。其結(jié)構(gòu)可用電鍍理論中的雙電層原理來(lái)說(shuō)明,當(dāng)電極為陰極并處于極化狀態(tài)情況下,則被水分子包圍并帶有正電荷的陽(yáng)離子,因靜電作用力而有序的排列在陰極附近,最靠近陰極的陽(yáng)離子中心點(diǎn)所構(gòu)成的設(shè)相面而稱之亥姆霍茲(helmholtz)外層,該外層距電極的距離約約1-10納米。但是由于亥姆霍茲外層的陽(yáng)離子所帶正電荷的總電量,其正電荷量不足以中和陰極上的負(fù)電荷。而離陰極較遠(yuǎn)的鍍液受到對(duì)流的影響,其溶液層的陽(yáng)離子濃度要比陰離子濃度高一些。此層由于靜電力作用比亥姆霍茲外層要小,又要受到熱運(yùn)動(dòng)的影響,陽(yáng)離子排列并不像亥姆霍茲外層緊密而又整齊,此層稱之謂擴(kuò)散層。擴(kuò)散層的厚度與鍍液的流動(dòng)速率成反比。也就是鍍液的流動(dòng)速率越快,擴(kuò)散層就越薄,反則厚,一般擴(kuò)散層的厚度約5-50微米。離陰極就更遠(yuǎn),對(duì)流所到達(dá)的鍍液層稱之謂主體鍍液。因?yàn)槿芤旱漠a(chǎn)生的對(duì)流作用會(huì)影響到鍍液濃度的均勻性。擴(kuò)散層中的銅離子靠鍍液靠擴(kuò)散及離子的遷移方式輸送到亥姆霍茲外層。而主體鍍液中的銅離子卻靠對(duì)流作用及離子遷移將其輸送到陰極表面。所在在水平電鍍過(guò)程中,鍍液中的銅離子是靠三種方式進(jìn)行輸送到陰極的附近形成雙電層。
鍍液的對(duì)流的產(chǎn)生是采用外部現(xiàn)內(nèi)部以機(jī)械攪拌和泵的攪拌、電極本身的擺動(dòng)或旋轉(zhuǎn)方式,以及溫差引起的電鍍液的流動(dòng)。在越靠近固體電極的表面的地方,由于其磨擦阻力的影響至使電鍍液的流動(dòng)變得越來(lái)越緩慢,此時(shí)的固體電極表面的對(duì)流速率為零。從電極表面到對(duì)流鍍液間所形成的速率梯度層稱之謂流動(dòng)界面層。該流動(dòng)界面層的厚度約為擴(kuò)散層厚度的的十倍,故擴(kuò)散層內(nèi)離子的輸送幾乎不受對(duì)流作用的影響。
在電埸的作用下,電鍍液中的離子受靜電力而引起離子輸送稱之謂離子遷移。其遷移的速率用公式表示如下:u = zeoe/6πrη要。其中u為離子遷移速率、z為離子的電荷數(shù)、eo為一個(gè)電子的電荷量(即1.61019c)、e為電位、r?yàn)樗想x子的半徑、η為電鍍液的粘度。根據(jù)方程式的計(jì)算可以看出,電位e降落越大, 電鍍液的粘度越小,離子遷移的速率也就越快。
根據(jù)電沉積理論,電鍍時(shí),位于陰極上的印制電路板為非理想的極化電極,吸附在陰極的表面上的銅離子獲得電子而被還原成銅原子,而使靠近陰極的銅離子濃度降低。因此,陰極附近會(huì)形成銅離子濃度梯度。銅離子濃度比主體鍍液的濃度低的這一層鍍液即為鍍液的擴(kuò)散層。而主體鍍液中的銅離子濃度較高,會(huì)向陰極附近銅離子濃度較低的地方,進(jìn)行擴(kuò)散,不斷地補(bǔ)充陰極區(qū)域。印制電路板類似一個(gè)平面陰極,其電流的大小與擴(kuò)散層的厚度的關(guān)系
上一篇:PCB制造基本步驟
上一篇:高分辨率ADC的板布線
熱門點(diǎn)擊
- 交通違章視頻查詢系統(tǒng)
- Synopsys工具介紹(一)
- ORCAD/PSPICE 9中新元件的創(chuàng)建
- 場(chǎng)效應(yīng)管(mosfet)參數(shù)符號(hào)意義
- 如何應(yīng)對(duì)客戶定單未到就催發(fā)貨?
- 高速IC激光打標(biāo)機(jī)的研制
- 離子注入
- 常見(jiàn)濕法蝕刻技術(shù)
- SMT錫膏印刷技術(shù)
- NE532 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
推薦技術(shù)資料
- 羅盤誤差及補(bǔ)償
- 造成羅盤誤差的主要因素有傳感器誤差、其他磁材料干擾等。... [詳細(xì)]
- 100A全集成電源模塊R
- Teseo-VIC6A GNSS車用精準(zhǔn)定位
- 高效先進(jìn)封裝工藝
- 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (Analog-to-Digit
- 集成模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)
- 128 通道20 位電流數(shù)字轉(zhuǎn)換器̴
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究