從晶圓片生產(chǎn)開始到卡經(jīng)個(gè)人化后投入使用，為了保證質(zhì)量避免損失，其間要經(jīng)過一系列的測(cè)試，如圖1所示。這里所進(jìn)行的電氣測(cè)試是把芯片組裝成卡后，作為智能卡的首次測(cè)試。圖2和圖3則顯了以上各測(cè)試過程中所用到的測(cè)試部件。

　　這個(gè)階段的第1個(gè)生產(chǎn)步驟是對(duì)智能卡進(jìn)行電氣測(cè)試，由執(zhí)行iso智能卡激活序列來進(jìn)行基本測(cè)試。對(duì)此，卡必須用有效的atr來響應(yīng)。若atr可被接收到并滿足預(yù)期，則至少可確信微控制器的核心是工作的。接著對(duì)硬件部件進(jìn)行特殊測(cè)試，諸如rom、eeprom和ram，用可同時(shí)并行處理數(shù)張卡的特殊設(shè)備以使這些測(cè)試能以高吞吐率進(jìn)行，因?yàn)槟承y(cè)試可能要占用數(shù)秒之久的時(shí)間。使用的某些具有旋轉(zhuǎn)木馬（carrosel-回轉(zhuǎn)車，即自動(dòng)加料）結(jié)構(gòu)的設(shè)各可以達(dá)到每小時(shí)3 500張卡的吞吐率。

　　測(cè)試eeprom工作的優(yōu)選方法是寫人“國(guó)際象棋盤”的圖案，諸如‘a(chǎn)a’（=°10101010°）或‘55’（=°01010101°），到各個(gè)字節(jié)中。然而，對(duì)于大量的eeprom這樣做可能要占用很長(zhǎng)的時(shí)間，有時(shí)用一個(gè)竅門來縮短測(cè)試時(shí)間，替代規(guī)定的eeprom寫人時(shí)間。例如，它可能是每頁面3.5ms，只用這段時(shí)間的十分之一（本例中為350fts）。對(duì)于這樣短的寫人時(shí)間，數(shù)據(jù)將只能在eeprom中保持?jǐn)?shù)分鐘。但是，在這種情況下并不會(huì)引起任何問題，因?yàn)樵跀?shù)據(jù)寫人后的數(shù)秒鐘就已經(jīng)完成了對(duì)存儲(chǔ)器內(nèi)國(guó)際象棋棋盤格圖案的測(cè)試了。這種動(dòng)態(tài)形式的eeprom編程的優(yōu)點(diǎn)是能顯著縮短測(cè)試時(shí)間而有同樣的質(zhì)量水平。當(dāng)i/0管理器的發(fā)送和接收緩存都不是在ram而在eeprom中時(shí)，有時(shí)也采用同樣的技術(shù)。在這種情況下縮短的寫入時(shí)間將使有效的數(shù)據(jù)傳輸率得以令人矚目的提高。

　　圖1 智能卡微控制器在生產(chǎn)過程中所執(zhí)行的典型的電氣測(cè)試流程圖

　　圖2 35mm帶上模塊輸入檢測(cè)機(jī)的接觸頭（它可同時(shí)處理16張卡）

　　這里還有另外一個(gè)用于電氣測(cè)試的技巧。為了縮短相連生產(chǎn)步驟中所需的裝人數(shù)據(jù)時(shí)間，把最終的測(cè)試圖形（諸如‘00’）寫入整個(gè)eeprom中，但用的是正常的寫入時(shí)間。由于在相繼的完工、初始化和個(gè)化過程中要存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)值是已經(jīng)知道的，可將那些與此值不同的數(shù)據(jù)寫人到eeprom中。一個(gè)類似的技術(shù)可用來設(shè)置eeprom的內(nèi)容為某個(gè)值，使得在后繼的寫入操作中不必首先對(duì)寫入的頁面擦除，所有這些訣竅都明顯縮短了實(shí)現(xiàn)后繼生產(chǎn)步驟中向eeprom寫人數(shù)據(jù)所需的時(shí)間。

　　圖3 一臺(tái)高性能智能卡測(cè)試站的接觸部件的接觸探針的詳圖（雖然接觸探頭的探針形狀
　　沒有遵照iso/iec 7816-2標(biāo)準(zhǔn)，由于其可靠性，這種類型的探針經(jīng)常用在生產(chǎn)設(shè)備中）

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