Sioz外表面電荷
發(fā)布時(shí)間:2012/4/27 19:12:26 訪問次數(shù):1244
起因：沾污、濕氣、靜電BD6962FVM荷積累造成表面漏電、擊穿蠕變。
PNP管的場感應(yīng)結(jié)特性
①V CB -定，溝道長度L-定，V AB一VCB，VBC =0。
②VCB增加，B點(diǎn)向C方向移動(dòng)，JL增大，漏電流也增大。
③VCB再增大，溝道夾斷（A點(diǎn)），L不變，Ic0飽和，當(dāng)Na+非常嚴(yán)重，出現(xiàn)溝道不夾斷，即溝道電流非飽和特性。
說明：
①熱氧化過程中的雜質(zhì)分凝現(xiàn)象也會(huì)導(dǎo)致P型硅表面N型化，硅中硼在熱氧化是有向S102中凝集趨勢。
②NPN管的基區(qū)表面在Na+濃度高時(shí)，也可能N型化，出現(xiàn)溝道特性。
③N-MOSFET也易受反型溝道影響。
④Na+離子的移動(dòng)，在電老化和高溫存放后特別顯著，它經(jīng)常引起漏電流不穩(wěn)定， FE漂移。
hFE(f)一hFEO +Algt (4.1)
式中的A與S102中總電荷(Qm)有關(guān)，對(duì)于器件CG36，A=l. 7～4.7，海底電纜增音機(jī)要求20年內(nèi)^ FE漂移<±10%。
表面離子遷移
離子沿氧化韌表面遷移，可激活S102中的局部缺陷使器件擊穿退化，Na+向反偏p-n結(jié)附近的金屬化遷移，使金屬化條下面感應(yīng)結(jié)變寬，增加漏電流，降低擊穿電壓。
表面擊穿
①P+N結(jié)：因Qm作用使表面空間電荷區(qū)變窄，擊穿電壓下降。高硼擴(kuò)散表面濃度高，使表面電場更高，表面擊穿電壓低于體內(nèi)擊穿電壓。
②N+P結(jié)：因Qm作用使表面空間電荷區(qū)變寬，擊穿電壓升高，但不穩(wěn)定，因Qm可移動(dòng)，使擊穿電壓又下降，可采用p+溝道截?cái)喹h(huán)，提高擊穿電壓。
③擊穿電壓蠕變：N+P結(jié)雪崩時(shí)，表面勢壘中熱載流子[能量高于（室溫）費(fèi)米能級(jí)幾個(gè)kT]會(huì)注入到Si02中去。若M電極（集電極電位）加負(fù)電位，則熱載流（電子、空穴對(duì)）中的空穴進(jìn)入Si02中，使P區(qū)耗盡層寬度變寬，使擊穿電壓增加，當(dāng)負(fù)偏不變時(shí)，VR增大到一定程度就不再增大了，因S102中的缺陷能級(jí)已飽和，所以VBV(t) =clog(l+tlto)。
小電流^FE退化機(jī)理
①界面態(tài)具有載流子產(chǎn)生作用和復(fù)合作用。
②N+結(jié)反偏（EB結(jié)），到達(dá)擊穿（雪崩）時(shí)，雪崩區(qū)的電子、空穴有足夠能量轟擊E-B結(jié)耗盡層附加的表面（S102 -S1界面）引進(jìn)新的界面態(tài)，使表面復(fù)合電流增大，造成矗FE下降，當(dāng)J。增大時(shí)，^FE受影響程度很小。當(dāng)VEB正偏時(shí)，工。>lOFr,A時(shí)
FE不受雪崩的影響。
③界面態(tài)會(huì)影響MOSFET:所以溝道載流子受界面態(tài)束縛的電荷的散射作用“下降、g。下降fT下降、暗電流上升、Nr上升。
PNP管的場感應(yīng)結(jié)特性
①V CB -定，溝道長度L-定，V AB一VCB，VBC =0。
②VCB增加，B點(diǎn)向C方向移動(dòng)，JL增大，漏電流也增大。
③VCB再增大，溝道夾斷（A點(diǎn)），L不變，Ic0飽和，當(dāng)Na+非常嚴(yán)重，出現(xiàn)溝道不夾斷，即溝道電流非飽和特性。
說明：
①熱氧化過程中的雜質(zhì)分凝現(xiàn)象也會(huì)導(dǎo)致P型硅表面N型化，硅中硼在熱氧化是有向S102中凝集趨勢。
②NPN管的基區(qū)表面在Na+濃度高時(shí)，也可能N型化，出現(xiàn)溝道特性。
③N-MOSFET也易受反型溝道影響。
④Na+離子的移動(dòng)，在電老化和高溫存放后特別顯著，它經(jīng)常引起漏電流不穩(wěn)定， FE漂移。
hFE(f)一hFEO +Algt (4.1)
式中的A與S102中總電荷(Qm)有關(guān)，對(duì)于器件CG36，A=l. 7～4.7，海底電纜增音機(jī)要求20年內(nèi)^ FE漂移<±10%。
表面離子遷移
離子沿氧化韌表面遷移，可激活S102中的局部缺陷使器件擊穿退化，Na+向反偏p-n結(jié)附近的金屬化遷移，使金屬化條下面感應(yīng)結(jié)變寬，增加漏電流，降低擊穿電壓。
表面擊穿
①P+N結(jié)：因Qm作用使表面空間電荷區(qū)變窄，擊穿電壓下降。高硼擴(kuò)散表面濃度高，使表面電場更高，表面擊穿電壓低于體內(nèi)擊穿電壓。
②N+P結(jié)：因Qm作用使表面空間電荷區(qū)變寬，擊穿電壓升高，但不穩(wěn)定，因Qm可移動(dòng)，使擊穿電壓又下降，可采用p+溝道截?cái)喹h(huán)，提高擊穿電壓。
③擊穿電壓蠕變：N+P結(jié)雪崩時(shí)，表面勢壘中熱載流子[能量高于（室溫）費(fèi)米能級(jí)幾個(gè)kT]會(huì)注入到Si02中去。若M電極（集電極電位）加負(fù)電位，則熱載流（電子、空穴對(duì)）中的空穴進(jìn)入Si02中，使P區(qū)耗盡層寬度變寬，使擊穿電壓增加，當(dāng)負(fù)偏不變時(shí)，VR增大到一定程度就不再增大了，因S102中的缺陷能級(jí)已飽和，所以VBV(t) =clog(l+tlto)。
小電流^FE退化機(jī)理
①界面態(tài)具有載流子產(chǎn)生作用和復(fù)合作用。
②N+結(jié)反偏（EB結(jié)），到達(dá)擊穿（雪崩）時(shí)，雪崩區(qū)的電子、空穴有足夠能量轟擊E-B結(jié)耗盡層附加的表面（S102 -S1界面）引進(jìn)新的界面態(tài)，使表面復(fù)合電流增大，造成矗FE下降，當(dāng)J。增大時(shí)，^FE受影響程度很小。當(dāng)VEB正偏時(shí)，工。>lOFr,A時(shí)
FE不受雪崩的影響。
③界面態(tài)會(huì)影響MOSFET:所以溝道載流子受界面態(tài)束縛的電荷的散射作用“下降、g。下降fT下降、暗電流上升、Nr上升。
起因：沾污、濕氣、靜電BD6962FVM荷積累造成表面漏電、擊穿蠕變。
PNP管的場感應(yīng)結(jié)特性
①V CB -定，溝道長度L-定，V AB一VCB，VBC =0。
②VCB增加，B點(diǎn)向C方向移動(dòng)，JL增大，漏電流也增大。
③VCB再增大，溝道夾斷（A點(diǎn)），L不變，Ic0飽和，當(dāng)Na+非常嚴(yán)重，出現(xiàn)溝道不夾斷，即溝道電流非飽和特性。
說明：
①熱氧化過程中的雜質(zhì)分凝現(xiàn)象也會(huì)導(dǎo)致P型硅表面N型化，硅中硼在熱氧化是有向S102中凝集趨勢。
②NPN管的基區(qū)表面在Na+濃度高時(shí)，也可能N型化，出現(xiàn)溝道特性。
③N-MOSFET也易受反型溝道影響。
④Na+離子的移動(dòng)，在電老化和高溫存放后特別顯著，它經(jīng)常引起漏電流不穩(wěn)定， FE漂移。
hFE(f)一hFEO +Algt (4.1)
式中的A與S102中總電荷(Qm)有關(guān)，對(duì)于器件CG36，A=l. 7～4.7，海底電纜增音機(jī)要求20年內(nèi)^ FE漂移<±10%。
表面離子遷移
離子沿氧化韌表面遷移，可激活S102中的局部缺陷使器件擊穿退化，Na+向反偏p-n結(jié)附近的金屬化遷移，使金屬化條下面感應(yīng)結(jié)變寬，增加漏電流，降低擊穿電壓。
表面擊穿
①P+N結(jié)：因Qm作用使表面空間電荷區(qū)變窄，擊穿電壓下降。高硼擴(kuò)散表面濃度高，使表面電場更高，表面擊穿電壓低于體內(nèi)擊穿電壓。
②N+P結(jié)：因Qm作用使表面空間電荷區(qū)變寬，擊穿電壓升高，但不穩(wěn)定，因Qm可移動(dòng)，使擊穿電壓又下降，可采用p+溝道截?cái)喹h(huán)，提高擊穿電壓。
③擊穿電壓蠕變：N+P結(jié)雪崩時(shí)，表面勢壘中熱載流子[能量高于（室溫）費(fèi)米能級(jí)幾個(gè)kT]會(huì)注入到Si02中去。若M電極（集電極電位）加負(fù)電位，則熱載流（電子、空穴對(duì)）中的空穴進(jìn)入Si02中，使P區(qū)耗盡層寬度變寬，使擊穿電壓增加，當(dāng)負(fù)偏不變時(shí)，VR增大到一定程度就不再增大了，因S102中的缺陷能級(jí)已飽和，所以VBV(t) =clog(l+tlto)。
小電流^FE退化機(jī)理
①界面態(tài)具有載流子產(chǎn)生作用和復(fù)合作用。
②N+結(jié)反偏（EB結(jié)），到達(dá)擊穿（雪崩）時(shí)，雪崩區(qū)的電子、空穴有足夠能量轟擊E-B結(jié)耗盡層附加的表面（S102 -S1界面）引進(jìn)新的界面態(tài)，使表面復(fù)合電流增大，造成矗FE下降，當(dāng)J。增大時(shí)，^FE受影響程度很小。當(dāng)VEB正偏時(shí)，工。>lOFr,A時(shí)
FE不受雪崩的影響。
③界面態(tài)會(huì)影響MOSFET:所以溝道載流子受界面態(tài)束縛的電荷的散射作用“下降、g。下降fT下降、暗電流上升、Nr上升。
PNP管的場感應(yīng)結(jié)特性
①V CB -定，溝道長度L-定，V AB一VCB，VBC =0。
②VCB增加，B點(diǎn)向C方向移動(dòng)，JL增大，漏電流也增大。
③VCB再增大，溝道夾斷（A點(diǎn)），L不變，Ic0飽和，當(dāng)Na+非常嚴(yán)重，出現(xiàn)溝道不夾斷，即溝道電流非飽和特性。
說明：
①熱氧化過程中的雜質(zhì)分凝現(xiàn)象也會(huì)導(dǎo)致P型硅表面N型化，硅中硼在熱氧化是有向S102中凝集趨勢。
②NPN管的基區(qū)表面在Na+濃度高時(shí)，也可能N型化，出現(xiàn)溝道特性。
③N-MOSFET也易受反型溝道影響。
④Na+離子的移動(dòng)，在電老化和高溫存放后特別顯著，它經(jīng)常引起漏電流不穩(wěn)定， FE漂移。
hFE(f)一hFEO +Algt (4.1)
式中的A與S102中總電荷(Qm)有關(guān)，對(duì)于器件CG36，A=l. 7～4.7，海底電纜增音機(jī)要求20年內(nèi)^ FE漂移<±10%。
表面離子遷移
離子沿氧化韌表面遷移，可激活S102中的局部缺陷使器件擊穿退化，Na+向反偏p-n結(jié)附近的金屬化遷移，使金屬化條下面感應(yīng)結(jié)變寬，增加漏電流，降低擊穿電壓。
表面擊穿
①P+N結(jié)：因Qm作用使表面空間電荷區(qū)變窄，擊穿電壓下降。高硼擴(kuò)散表面濃度高，使表面電場更高，表面擊穿電壓低于體內(nèi)擊穿電壓。
②N+P結(jié)：因Qm作用使表面空間電荷區(qū)變寬，擊穿電壓升高，但不穩(wěn)定，因Qm可移動(dòng)，使擊穿電壓又下降，可采用p+溝道截?cái)喹h(huán)，提高擊穿電壓。
③擊穿電壓蠕變：N+P結(jié)雪崩時(shí)，表面勢壘中熱載流子[能量高于（室溫）費(fèi)米能級(jí)幾個(gè)kT]會(huì)注入到Si02中去。若M電極（集電極電位）加負(fù)電位，則熱載流（電子、空穴對(duì)）中的空穴進(jìn)入Si02中，使P區(qū)耗盡層寬度變寬，使擊穿電壓增加，當(dāng)負(fù)偏不變時(shí)，VR增大到一定程度就不再增大了，因S102中的缺陷能級(jí)已飽和，所以VBV(t) =clog(l+tlto)。
小電流^FE退化機(jī)理
①界面態(tài)具有載流子產(chǎn)生作用和復(fù)合作用。
②N+結(jié)反偏（EB結(jié)），到達(dá)擊穿（雪崩）時(shí)，雪崩區(qū)的電子、空穴有足夠能量轟擊E-B結(jié)耗盡層附加的表面（S102 -S1界面）引進(jìn)新的界面態(tài)，使表面復(fù)合電流增大，造成矗FE下降，當(dāng)J。增大時(shí)，^FE受影響程度很小。當(dāng)VEB正偏時(shí)，工。>lOFr,A時(shí)
FE不受雪崩的影響。
③界面態(tài)會(huì)影響MOSFET:所以溝道載流子受界面態(tài)束縛的電荷的散射作用“下降、g。下降fT下降、暗電流上升、Nr上升。
上一篇：二次缺陷
上一篇：磷硅酸鹽玻璃鈍化(PSG)
相關(guān)技術(shù)資料- 4-28內(nèi)引線材料的質(zhì)量控制要求
- 4-27Sioz外表面電荷
熱門點(diǎn)擊
- MAC子層
- Cougar系統(tǒng)
- 無線傳感器網(wǎng)絡(luò)定位技術(shù)
- 三防設(shè)計(jì)
- 影響電子元器件可靠性的環(huán)境因素的分類
- 以數(shù)據(jù)為中心的無線傳感器網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)庫
- MOS集成電路
- V4L2的視頻采集驅(qū)動(dòng)
- 極限應(yīng)力試驗(yàn)
- 拓?fù)淇刂浦械男菝哒{(diào)度技術(shù)
推薦技術(shù)資料
- 聲道前級(jí)設(shè)計(jì)特點(diǎn)
- 與通常的Hi-Fi前級(jí)不同，EP9307-CRZ這臺(tái)分... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
