提高GaAs FET器件所能承受的最高工作結(jié)溫
發(fā)布時(shí)間:2012/4/28 20:07:42 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):1915
提高GaAs FET器件承受結(jié)溫的工作2SC3425主要體現(xiàn)在三個(gè)方面：首先是通過(guò)提高GaAs FET器件的功率附加效率來(lái)減小管芯的熱耗散；第二是通過(guò)優(yōu)化管芯的熱設(shè)計(jì)減小管芯的熱阻；第三是通過(guò)管芯工藝的優(yōu)化，提高管芯所能承受的最高工作結(jié)溫。
(1)提高GaAs FET器件的功率附加效率
提高GaAs FET的功率附加效率最有效的途徑是改進(jìn)器件的微結(jié)構(gòu)。具體方法是將GaAs功放模塊所用的有源芯片從GaAs離子注入MESFET提升為GaAs/InGaAs功率HFET，提高FET的微波性能。GaAs/lnGaAs功率HFET的多層微結(jié)構(gòu)材料的外延生長(zhǎng)相對(duì)簡(jiǎn)單，容易控制，其導(dǎo)電溝道的厚度不受贗配晶格生長(zhǎng)存在臨界厚度所限制，因而該器件表現(xiàn)出足夠的電流處理能力，同時(shí)在大信號(hào)工作時(shí)，其導(dǎo)電溝道的擴(kuò)展是在n-GaAs中，不同于AIGaAs/GaAs HFET和GaAs基PHEMT在大信號(hào)工作時(shí)導(dǎo)電溝道擴(kuò)展到AIGaAs層，因而該器件表現(xiàn)出更好的線(xiàn)性，另外該器件的肖特基勢(shì)壘是制作在低摻雜的n-GaAs上，這不僅有利于擊穿電壓的提高，同時(shí)還克服了AIGaAs作為勢(shì)壘層，AIGaA。較GaA。更易氧化，導(dǎo)致柵漏間暴露的AIGaAs層表面缺陷能級(jí)密度的增加，而這一增加是與PHEMT的熱電子效應(yīng)退化機(jī)理密切相關(guān)的。GaAs/InGaAs功率HFET在結(jié)構(gòu)上的優(yōu)勢(shì)使得它較GaAs MESFET在單位毫米柵寬的輸出功率、功率增益、功率附加效率更具優(yōu)勢(shì)，在本功放組件工作頻段GaAs HFET的功率附加效率可達(dá)到50%以上，較離子注入MESFET的40%有較大提高。
(2)減小管芯昀熱阻
管芯熱阻的減小主要通過(guò)優(yōu)化HFET管芯的熱設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)，這主要體現(xiàn)在將HFET的柵柵間距由原來(lái)的16lum增大到201um，芯片減薄后的厚度由原來(lái)的50Um減小到40 lu,m，芯片背面熱沉鍍金層的厚度由原來(lái)的12_um提高到20rum。通過(guò)以上設(shè)計(jì)，HFET的熱阻減小為原設(shè)計(jì)的60%左右。
(3)優(yōu)化管芯工藝
在設(shè)計(jì)時(shí)就要考慮如何通過(guò)管芯工藝的優(yōu)化，來(lái)提高管芯所能承受的最高工作結(jié)溫。要達(dá)到這個(gè)目的，在管芯工藝中盡量避免可能對(duì)器件的高溫可靠性有影響的低溫過(guò)程，這樣才能在器件的性能和可靠性之間取得比較好的折中。
(1)提高GaAs FET器件的功率附加效率
提高GaAs FET的功率附加效率最有效的途徑是改進(jìn)器件的微結(jié)構(gòu)。具體方法是將GaAs功放模塊所用的有源芯片從GaAs離子注入MESFET提升為GaAs/InGaAs功率HFET，提高FET的微波性能。GaAs/lnGaAs功率HFET的多層微結(jié)構(gòu)材料的外延生長(zhǎng)相對(duì)簡(jiǎn)單，容易控制，其導(dǎo)電溝道的厚度不受贗配晶格生長(zhǎng)存在臨界厚度所限制，因而該器件表現(xiàn)出足夠的電流處理能力，同時(shí)在大信號(hào)工作時(shí)，其導(dǎo)電溝道的擴(kuò)展是在n-GaAs中，不同于AIGaAs/GaAs HFET和GaAs基PHEMT在大信號(hào)工作時(shí)導(dǎo)電溝道擴(kuò)展到AIGaAs層，因而該器件表現(xiàn)出更好的線(xiàn)性，另外該器件的肖特基勢(shì)壘是制作在低摻雜的n-GaAs上，這不僅有利于擊穿電壓的提高，同時(shí)還克服了AIGaAs作為勢(shì)壘層，AIGaA。較GaA。更易氧化，導(dǎo)致柵漏間暴露的AIGaAs層表面缺陷能級(jí)密度的增加，而這一增加是與PHEMT的熱電子效應(yīng)退化機(jī)理密切相關(guān)的。GaAs/InGaAs功率HFET在結(jié)構(gòu)上的優(yōu)勢(shì)使得它較GaAs MESFET在單位毫米柵寬的輸出功率、功率增益、功率附加效率更具優(yōu)勢(shì)，在本功放組件工作頻段GaAs HFET的功率附加效率可達(dá)到50%以上，較離子注入MESFET的40%有較大提高。
(2)減小管芯昀熱阻
管芯熱阻的減小主要通過(guò)優(yōu)化HFET管芯的熱設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)，這主要體現(xiàn)在將HFET的柵柵間距由原來(lái)的16lum增大到201um，芯片減薄后的厚度由原來(lái)的50Um減小到40 lu,m，芯片背面熱沉鍍金層的厚度由原來(lái)的12_um提高到20rum。通過(guò)以上設(shè)計(jì)，HFET的熱阻減小為原設(shè)計(jì)的60%左右。
(3)優(yōu)化管芯工藝
在設(shè)計(jì)時(shí)就要考慮如何通過(guò)管芯工藝的優(yōu)化，來(lái)提高管芯所能承受的最高工作結(jié)溫。要達(dá)到這個(gè)目的，在管芯工藝中盡量避免可能對(duì)器件的高溫可靠性有影響的低溫過(guò)程，這樣才能在器件的性能和可靠性之間取得比較好的折中。
提高GaAs FET器件承受結(jié)溫的工作2SC3425主要體現(xiàn)在三個(gè)方面：首先是通過(guò)提高GaAs FET器件的功率附加效率來(lái)減小管芯的熱耗散；第二是通過(guò)優(yōu)化管芯的熱設(shè)計(jì)減小管芯的熱阻；第三是通過(guò)管芯工藝的優(yōu)化，提高管芯所能承受的最高工作結(jié)溫。
(1)提高GaAs FET器件的功率附加效率
提高GaAs FET的功率附加效率最有效的途徑是改進(jìn)器件的微結(jié)構(gòu)。具體方法是將GaAs功放模塊所用的有源芯片從GaAs離子注入MESFET提升為GaAs/InGaAs功率HFET，提高FET的微波性能。GaAs/lnGaAs功率HFET的多層微結(jié)構(gòu)材料的外延生長(zhǎng)相對(duì)簡(jiǎn)單，容易控制，其導(dǎo)電溝道的厚度不受贗配晶格生長(zhǎng)存在臨界厚度所限制，因而該器件表現(xiàn)出足夠的電流處理能力，同時(shí)在大信號(hào)工作時(shí)，其導(dǎo)電溝道的擴(kuò)展是在n-GaAs中，不同于AIGaAs/GaAs HFET和GaAs基PHEMT在大信號(hào)工作時(shí)導(dǎo)電溝道擴(kuò)展到AIGaAs層，因而該器件表現(xiàn)出更好的線(xiàn)性，另外該器件的肖特基勢(shì)壘是制作在低摻雜的n-GaAs上，這不僅有利于擊穿電壓的提高，同時(shí)還克服了AIGaAs作為勢(shì)壘層，AIGaA。較GaA。更易氧化，導(dǎo)致柵漏間暴露的AIGaAs層表面缺陷能級(jí)密度的增加，而這一增加是與PHEMT的熱電子效應(yīng)退化機(jī)理密切相關(guān)的。GaAs/InGaAs功率HFET在結(jié)構(gòu)上的優(yōu)勢(shì)使得它較GaAs MESFET在單位毫米柵寬的輸出功率、功率增益、功率附加效率更具優(yōu)勢(shì)，在本功放組件工作頻段GaAs HFET的功率附加效率可達(dá)到50%以上，較離子注入MESFET的40%有較大提高。
(2)減小管芯昀熱阻
管芯熱阻的減小主要通過(guò)優(yōu)化HFET管芯的熱設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)，這主要體現(xiàn)在將HFET的柵柵間距由原來(lái)的16lum增大到201um，芯片減薄后的厚度由原來(lái)的50Um減小到40 lu,m，芯片背面熱沉鍍金層的厚度由原來(lái)的12_um提高到20rum。通過(guò)以上設(shè)計(jì)，HFET的熱阻減小為原設(shè)計(jì)的60%左右。
(3)優(yōu)化管芯工藝
在設(shè)計(jì)時(shí)就要考慮如何通過(guò)管芯工藝的優(yōu)化，來(lái)提高管芯所能承受的最高工作結(jié)溫。要達(dá)到這個(gè)目的，在管芯工藝中盡量避免可能對(duì)器件的高溫可靠性有影響的低溫過(guò)程，這樣才能在器件的性能和可靠性之間取得比較好的折中。
(1)提高GaAs FET器件的功率附加效率
提高GaAs FET的功率附加效率最有效的途徑是改進(jìn)器件的微結(jié)構(gòu)。具體方法是將GaAs功放模塊所用的有源芯片從GaAs離子注入MESFET提升為GaAs/InGaAs功率HFET，提高FET的微波性能。GaAs/lnGaAs功率HFET的多層微結(jié)構(gòu)材料的外延生長(zhǎng)相對(duì)簡(jiǎn)單，容易控制，其導(dǎo)電溝道的厚度不受贗配晶格生長(zhǎng)存在臨界厚度所限制，因而該器件表現(xiàn)出足夠的電流處理能力，同時(shí)在大信號(hào)工作時(shí)，其導(dǎo)電溝道的擴(kuò)展是在n-GaAs中，不同于AIGaAs/GaAs HFET和GaAs基PHEMT在大信號(hào)工作時(shí)導(dǎo)電溝道擴(kuò)展到AIGaAs層，因而該器件表現(xiàn)出更好的線(xiàn)性，另外該器件的肖特基勢(shì)壘是制作在低摻雜的n-GaAs上，這不僅有利于擊穿電壓的提高，同時(shí)還克服了AIGaAs作為勢(shì)壘層，AIGaA。較GaA。更易氧化，導(dǎo)致柵漏間暴露的AIGaAs層表面缺陷能級(jí)密度的增加，而這一增加是與PHEMT的熱電子效應(yīng)退化機(jī)理密切相關(guān)的。GaAs/InGaAs功率HFET在結(jié)構(gòu)上的優(yōu)勢(shì)使得它較GaAs MESFET在單位毫米柵寬的輸出功率、功率增益、功率附加效率更具優(yōu)勢(shì)，在本功放組件工作頻段GaAs HFET的功率附加效率可達(dá)到50%以上，較離子注入MESFET的40%有較大提高。
(2)減小管芯昀熱阻
管芯熱阻的減小主要通過(guò)優(yōu)化HFET管芯的熱設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)，這主要體現(xiàn)在將HFET的柵柵間距由原來(lái)的16lum增大到201um，芯片減薄后的厚度由原來(lái)的50Um減小到40 lu,m，芯片背面熱沉鍍金層的厚度由原來(lái)的12_um提高到20rum。通過(guò)以上設(shè)計(jì)，HFET的熱阻減小為原設(shè)計(jì)的60%左右。
(3)優(yōu)化管芯工藝
在設(shè)計(jì)時(shí)就要考慮如何通過(guò)管芯工藝的優(yōu)化，來(lái)提高管芯所能承受的最高工作結(jié)溫。要達(dá)到這個(gè)目的，在管芯工藝中盡量避免可能對(duì)器件的高溫可靠性有影響的低溫過(guò)程，這樣才能在器件的性能和可靠性之間取得比較好的折中。
上一篇：有關(guān)y線(xiàn)輻照效應(yīng)
上一篇：改善器件和組件的散熱
相關(guān)技術(shù)資料- 4-28提高GaAs FET器件所能承受的最高工作結(jié)溫
- 4-27干法腐蝕中的損傷效應(yīng)及其工藝控制要求
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