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封裝控制要求

發(fā)布時(shí)間:2012/5/2 19:48:28 訪問(wèn)次數(shù):633

    密封繼電器都要求真空焙烘后充MJD127T4G高純氮。真空焙烘的溫度和時(shí)間是關(guān)鍵,對(duì)繼電器內(nèi)部的水汽含量有著較大的影響。繼電器一般采用熔焊密封,要求罩子和底板過(guò)盈配合。
    工藝改進(jìn)措施
    由于JRC-200M型繼電器密封性要求泄漏率不大于1×10-3 Pa.CITI3/S,所以詼產(chǎn)品的密封采用的是電子束熔封,因而對(duì)底座與罩子的配合要求較高。初期由于配合尺寸和加工工藝的不足造成熔封合格率低,經(jīng)分析后我們?cè)谠O(shè)計(jì)和工藝上對(duì)底板與罩子的配合進(jìn)行了改進(jìn)(改進(jìn)效果見(jiàn)表6.3)。通過(guò)采取上述設(shè)計(jì)改進(jìn)和工藝改進(jìn)措施,產(chǎn)品熔封合格率由30%提高到現(xiàn)在的95%以上。

                   

                    

    密封繼電器都要求真空焙烘后充MJD127T4G高純氮。真空焙烘的溫度和時(shí)間是關(guān)鍵,對(duì)繼電器內(nèi)部的水汽含量有著較大的影響。繼電器一般采用熔焊密封,要求罩子和底板過(guò)盈配合。
    工藝改進(jìn)措施
    由于JRC-200M型繼電器密封性要求泄漏率不大于1×10-3 Pa.CITI3/S,所以詼產(chǎn)品的密封采用的是電子束熔封,因而對(duì)底座與罩子的配合要求較高。初期由于配合尺寸和加工工藝的不足造成熔封合格率低,經(jīng)分析后我們?cè)谠O(shè)計(jì)和工藝上對(duì)底板與罩子的配合進(jìn)行了改進(jìn)(改進(jìn)效果見(jiàn)表6.3)。通過(guò)采取上述設(shè)計(jì)改進(jìn)和工藝改進(jìn)措施,產(chǎn)品熔封合格率由30%提高到現(xiàn)在的95%以上。

                   

                    

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