如圖4.4所示，為了省略耦合電容，射極跟FM20L08-60TG隨器的偏置電路插在共發(fā)射極電路的晶體管Tri的集電極與負(fù)載電阻R3之間。
    在圖4.7中，表示偏置電路各部分電壓與電流的關(guān)系。
    這里選用的晶體管Tr2，只要滿足最大集電極電流在20mA以上，集電極一基極間與集電極一發(fā)射極間的最大額定值CBO和
VCEO為1.2V以上（兩個VBE）的條件，不管什么型號的器件都可以。
    但是，考慮到Tr3與Tr4的熱耦合問題，通常考慮使用低頻中功率放大晶體管2SC3423。它裝在T0126的全模塑封裝中（金屬部分不露出的絕緣型模塑封裝）。在表4.1中表示2SC3423的特性。

                    
    在該電路基極側(cè)（VR2與R。）流動的電流由R4決定，這里取R4一300\CZ。VR2與R4流動的電流則為2mA( =0. 6V／300fl)。另一方面，Tri的集電極電流為20mA，Tr2集電極電
    即使是這樣的電路（與放大電路一樣），在基極側(cè)流動的電流也設(shè)定為集電極電流的1/10（為了能略去基極電流）。
    為了使Tr2的集電極一基極間電壓為2VB。（Tr。與Tr；的VB。），由式(4.3)可知，使VR2的值與R4相同即可。所以，采用VR：一47001（500fl也可以），使得半固定電阻的滑動頭位置在中央附近時的電阻為300fl。