圖5.5是對前面討論的達(dá)林頓射FM24CL04B-GTR極跟隨器進(jìn)行并聯(lián)連接的電路。

                  
   
    與其說該電路的最大輸出電流為Tr，與Tr。的電流值之和，不如說將必要的輸出電流由Tri與Tr2來分擔(dān)。
    這樣一來，每一個晶體管的輸出電流大幅度（即1/2）地減少。使得每一個晶體管的發(fā)熱量也大幅度地減少，電路變得穩(wěn)定。
    圖中的電阻RB是使并聯(lián)連接的晶體管上所流過的電流得到平衡用的基極限制電阻。
    如果沒有這個限制基極電流的電阻則Tr，的溫度比Tr3高，集電極電流變大時，Tr，的發(fā)熱就增加，使基極電流更加增加，其結(jié)果導(dǎo)致集電極電流，更加增加。這樣一來，負(fù)載上流過的電流值，因負(fù)載電阻值與所加的電壓是一定的值，所以Tr，電流的增加部分是Tr。屯流的減少部分。Tri的電流更多地流動，使得電流集中到Tr，上，發(fā)熱進(jìn)一步增加，電流再增加。
    這就是并聯(lián)連接時必須要考慮的電流集中的問題。
    防止電流集中的一個方法，是增大發(fā)射極電阻基極電壓VB是一定的，電流增加，由于RE的存在，VE就變大，基極一發(fā)射極間電壓VB。就變小，電流因此被限制，就能有效防止電流集中。
    但是，該發(fā)射極電阻RE -增大，因發(fā)射極電阻的壓降，能夠輸出的最大電壓就下降，所以RE不能太大（數(shù)歐）。
    除此之外，還有加入限制基極電流的電阻RB的方法。該方法的原理與增大發(fā)射極電阻值的情況相同。Tri的基極電流一增加，則因RB而產(chǎn)生壓降RBIB。此時加在RB的電壓VB為一定值，所以增加基極電流工。，而就產(chǎn)生電壓降RBIB的部分為晶體管的V BE減少的部分，這就抑制了集電極電流的增加。
    這樣，電阻RB是為防止電流集中在一方的晶體管上而設(shè)定的。