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將Tr1換成FET

發(fā)布時(shí)間:2012/5/15 20:03:54 訪問(wèn)次數(shù):879

    在圖9.3的電路中,Tri和Tr2使用的OP1177ARZ都是雙極型晶體管,但是Tri也常有使用FET的(過(guò)去錄音機(jī)用的RIAA平衡放大器和音調(diào)控制電路就是使用這種晶體管的電路)。
    由于FET的柵極上幾乎沒(méi)有電流流動(dòng),所以可以增大偏置電路的電阻,結(jié)果就能夠增大電路的輸入阻抗。因此,對(duì)阻抗大的信號(hào)源,例如麥克風(fēng)和錄音機(jī)拾音頭等的輸出進(jìn)行放大時(shí)發(fā)揮作用。
    與雙極型晶體管相比,F(xiàn)ET的增益低,使用FET電路的裸增益也很低。與使用雙極型晶體管的電路相比,使用FET的電路,閉環(huán)增益相同(負(fù)反饋量變小的原因),但在輸出阻抗、頻率特性、噪聲和失真等能用負(fù)反饋改善的所有特性方面都會(huì)變得差。
    照片9.9是圖9.3電路的Tri挨成通用小信號(hào)JFET 2SK330Y后的輸入輸出波形(輸入信號(hào)與照片9.2相同,為VI=50mVP-P)。由于輸出信號(hào)為3.9VP-P,電壓增益為78倍,即37. 8dB,所以與照片9.2相比可知,增益降得相當(dāng)?shù)汀?BR>    其原因是由于FET的增益低,使電路的裸增益下降,進(jìn)而引起負(fù)反饋量變小。
    圖9. 22是在初級(jí)使用了FET的雙管負(fù)反饋放大電路。該電路使用正負(fù)電
源。將偏置電路簡(jiǎn)化為一個(gè)電阻。取該電阻值為2. 2Mfl,將電路的輸入阻抗設(shè)定在非常高的值上。

                     

    由于設(shè)FET的柵偏置電壓為OV(用2.2MQ的電阻接地,所以柵的直流電位為OV),所以取消了輸入部分的耦合電容。
    電路的輸入阻抗如此之高,即使信號(hào)源阻抗高到某種程度也沒(méi)有關(guān)系。但是,因?yàn)樵诔跫?jí)使用FET,裸增益變低,所以在噪聲和失真率等方面或許會(huì)有堂不利影響。


    在圖9.3的電路中,Tri和Tr2使用的OP1177ARZ都是雙極型晶體管,但是Tri也常有使用FET的(過(guò)去錄音機(jī)用的RIAA平衡放大器和音調(diào)控制電路就是使用這種晶體管的電路)。
    由于FET的柵極上幾乎沒(méi)有電流流動(dòng),所以可以增大偏置電路的電阻,結(jié)果就能夠增大電路的輸入阻抗。因此,對(duì)阻抗大的信號(hào)源,例如麥克風(fēng)和錄音機(jī)拾音頭等的輸出進(jìn)行放大時(shí)發(fā)揮作用。
    與雙極型晶體管相比,F(xiàn)ET的增益低,使用FET電路的裸增益也很低。與使用雙極型晶體管的電路相比,使用FET的電路,閉環(huán)增益相同(負(fù)反饋量變小的原因),但在輸出阻抗、頻率特性、噪聲和失真等能用負(fù)反饋改善的所有特性方面都會(huì)變得差。
    照片9.9是圖9.3電路的Tri挨成通用小信號(hào)JFET 2SK330Y后的輸入輸出波形(輸入信號(hào)與照片9.2相同,為VI=50mVP-P)。由于輸出信號(hào)為3.9VP-P,電壓增益為78倍,即37. 8dB,所以與照片9.2相比可知,增益降得相當(dāng)?shù)汀?BR>    其原因是由于FET的增益低,使電路的裸增益下降,進(jìn)而引起負(fù)反饋量變小。
    圖9. 22是在初級(jí)使用了FET的雙管負(fù)反饋放大電路。該電路使用正負(fù)電
源。將偏置電路簡(jiǎn)化為一個(gè)電阻。取該電阻值為2. 2Mfl,將電路的輸入阻抗設(shè)定在非常高的值上。

                     

    由于設(shè)FET的柵偏置電壓為OV(用2.2MQ的電阻接地,所以柵的直流電位為OV),所以取消了輸入部分的耦合電容。
    電路的輸入阻抗如此之高,即使信號(hào)源阻抗高到某種程度也沒(méi)有關(guān)系。但是,因?yàn)樵诔跫?jí)使用FET,裸增益變低,所以在噪聲和失真率等方面或許會(huì)有堂不利影響。


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10-23基帶跳頻配置圖
5-15將Tr1換成FET

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