該電路使用的JFET，如果在IDSS檔上有AM26LV32EIPWR所希望取的值，則不管哪種都可以。在這里，選擇通用N溝JFET、2SK330(東芝)。2SK330的特性表示在表10.1中。

    即使使用P溝的JFET也沒(méi)有關(guān)系，但此時(shí)器件的連接方法為圖10.17(b)所示，要加以注意。
    接著是IDSS檔次的選擇。依照誤差放大器的共射極電路上流動(dòng)的集電極電流設(shè)定值來(lái)選擇檔次。在圖10. 16電路中，共發(fā)射極電路的集電極電流設(shè)定在ImA以上（設(shè)定在比輸出晶體管必要的基極電流更大的值），所以IDSS選擇在1.2—3.OmA的Y檔（參考表10.1的IDSS分類(lèi)）。
    即使在同一個(gè)檔中，JFET的IDSS也有分散性。在圖10. 16的電路中，共發(fā)射極電路的集電極電流即使是1. 2mA或3.2mA，對(duì)電路的工作都沒(méi)有影響，是沒(méi)有問(wèn)題的。
    但是，穩(wěn)流源的電流設(shè)定值影響到電路的直流電位和工作點(diǎn)時(shí)，就不能使用JFET，而應(yīng)該使用晶體管的穩(wěn)流源。
    在該電路中，為了進(jìn)一步減少輸出的殘留波紋，在誤差放大器上使用的晶體管用^ FE大的超B晶體管2SC3113代替2SC2458即可。由于超p晶體管的h FE大，誤差放大器的裸增益變大，所以殘骼波紋進(jìn)一步減少。