確定RD和Rs
發(fā)布時間:2012/5/20 19:29:23 訪問次數(shù):1032
如式(3.11)所示,電路的MSP430F1232IPWR放大倍數(shù)A,由RD與Rs之比決定。為了得到設(shè)計指標所規(guī)定的AV=3,設(shè)定RD:Rs=3:1。
柵極一源極間電壓V GS因IDSS值和JD的工作點值而變化,也受溫度的影響。
如果VGS變化,那么加在Rs上的電壓也會變化,結(jié)果使ID變化(嚴格地說,是南于ID隨溫度變化,而使VG。變化)。為了抵消VGS因溫度的變化,使漏極電流具有穩(wěn)定性,往往設(shè)定RS上的直流電壓降大于1V(使得VGS<IS.Rs)。
在這里設(shè)R。上的電壓降為2V。由于ID一ImA,因此由式(3.4)得到
但是,E24數(shù)列中并沒有這個值的電阻,所以應(yīng)取數(shù)列中靠近的電阻值,即取RD一6.2kC)。因此,增益的設(shè)定值為AV=3.1(=6.2kQ÷2kQ)。
如式(3.11)所示,電路的MSP430F1232IPWR放大倍數(shù)A,由RD與Rs之比決定。為了得到設(shè)計指標所規(guī)定的AV=3,設(shè)定RD:Rs=3:1。
柵極一源極間電壓V GS因IDSS值和JD的工作點值而變化,也受溫度的影響。
如果VGS變化,那么加在Rs上的電壓也會變化,結(jié)果使ID變化(嚴格地說,是南于ID隨溫度變化,而使VG。變化)。為了抵消VGS因溫度的變化,使漏極電流具有穩(wěn)定性,往往設(shè)定RS上的直流電壓降大于1V(使得VGS<IS.Rs)。
在這里設(shè)R。上的電壓降為2V。由于ID一ImA,因此由式(3.4)得到
但是,E24數(shù)列中并沒有這個值的電阻,所以應(yīng)取數(shù)列中靠近的電阻值,即取RD一6.2kC)。因此,增益的設(shè)定值為AV=3.1(=6.2kQ÷2kQ)。
熱門點擊
- FET的電路符號
- 連接器的種類
- 叉指換能器
- 外圍電路設(shè)計
- gcNMOS
- 多余物產(chǎn)生的原因分析及其控制
- 確定電源去耦電容C3與C4的方法
- 源極跟隨器十恒流負載
- MOSFET的傳輸特性
- 0P放大器與射極跟隨器的組合
推薦技術(shù)資料
- 1200 V CoolSiC MOSFET
- 高帶寬內(nèi)存(HBM)和芯片間互連(ICI)應(yīng)
- 第七代TPU—Ironwood
- Neuralink新款“心靈感
- IR最新功率MOSFET的30
- 全新第4代SiC MOSFET
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究