按照式(3.3)，VG的設(shè)定值是在AM26LS32AIDR源極電位Vs上加上柵極一源極間電壓VGS的值。
    圖3.6是2SK184 GR檔的傳輸特性。GR檔器件的IDSS分散在2.6～6.5mA的范圍。那么工作點(diǎn)ID一ImA時(shí)伴隨著的VGS值分散在-o．4～-o．V的范圍。
    因此，ID =lmA時(shí)的VG。的取這個(gè)范圍的中間值-o．25V。這樣，由式(3.3)得到VG為：
    VG=VS+VGS=2V+(-0.25V) =1.75V    
    算電路常數(shù)時(shí)取分散量的中間值(-0.25V)）
    由式(3.2)可以看出，柵極電位VG是電源電壓VDD =15V被柵極偏置電路Ri、R2分壓后的值，所以可以把R2的電壓降設(shè)定為1.75V，將Ri的電壓降設(shè)定為13.25V。因此，Ri與R2之比設(shè)定為Ri：R2 =1.75：13.25。
    雙極晶體管中有基極電流流過，所以設(shè)定這種偏置電路（基極偏置電路）中的Ri和R2值時(shí)必須使電流比基極電流大得多(10倍以上)。但是FET器件中沒有柵極電流，所以只要保證Ri與Rz的比值，其電阻值多大都可以。
    Ri與R2的值只與電路的輸入阻抗Zi有關(guān)（后面將測(cè)定ZI），如果值太小，將會(huì)使得變小，導(dǎo)致電路應(yīng)用上的困難。所以應(yīng)取值稍大些，這里取R2=20kQ，Ri=150kC2。