圖4.21是將迭林頓連接的晶體管MSP430F149IPMR用于射極跟隨器使用的例子。達林頓連接是前級晶體管Tri的發(fā)射極電流全部成為后級晶體管Tr2的基極電流，所以^FE為^FE1×hFE2 (hFEl：Tri的矗FE，hFE2：Tr2的hFE)。因此，Tri的基極電流可以變得非常小。

                
    但是，晶體管是由基極電流控制集電極電流的電流控制器件，必須有基極電流，所以器件的輸入阻抗不可能很大。
    圖4.22是前級使用JFET，后級采用晶體管的混合達林頓連接的源極跟隨器（射極跟隨器？）電路。這個電路是Tr．的源極電流全部成為Tr。的基極電流，所以是達林頓連接形式。
    由于前級采用輸入電流幾乎為零的FET(JFET的輸入電流約為pA～nA量級)，所以電路的輸入阻抗可以作的非常大。而且由于Tr。使用晶體管，所以對發(fā)射極電流也沒有限制(JFET的源極跟隨器的輸出電流不超過IDSS)。就是說，這個電路是一個兼?zhèn)淞薋ET的高輸入阻抗特性和晶體管的大輸出電流特性的電路。