圖4.7的電路中如果使MSP430F448IPZR用增強(qiáng)型MOSFET（功率MOSFET幾乎都是增強(qiáng)型的）時(shí)，電路有必要作些調(diào)整。
    照片4.9是將圖4.7電路中的FET置換為中功率增強(qiáng)型MOSFET 2SK442（東芝）l2SJ123（東芝）時(shí)的輸入輸出波形（輸入信號(hào)為8VP-P，負(fù)載為100Q）。

    由于是推挽電路，所以波形沒有被限幅。不過在輸出波形的中央附近正弦波的正、負(fù)半周出現(xiàn)了不連續(xù)部分。這叫做轉(zhuǎn)換失真或者跨越失真。
    出現(xiàn)這種失真的原因在于增強(qiáng)型FET的傳輸特性。
    增強(qiáng)型器件在Ks=OV時(shí)不能夠流過漏極電流（參見圖2.12），所以輸入信號(hào)在交流OV附近形成了哪個(gè)FET都截止的無信號(hào)區(qū)（JFET等耗盡型FET在Vcs=OV時(shí)有電流流動(dòng)，所以不截止）。在照片4.9中看到如果輸入信號(hào)Vi達(dá)不到約±2V時(shí)就沒有漏極電流流動(dòng)，所以輸出信號(hào)在這一段就變成OV。
    因此，在使用增強(qiáng)型MOSFET的場(chǎng)合，如圖4.8所示，必須加偏置電路使得在沒有輸入信號(hào)時(shí)也能夠加上柵極電壓VGS。
    照片4. 10是圖4.8的電路中接100Q負(fù)載電阻，輸入lkHz、8VP-P的正弦波時(shí)的輸入輸出波形�？梢钥闯鲞@時(shí)沒有出現(xiàn)轉(zhuǎn)換失真。

              
    雙極晶體管的推挽射極跟隨器也存在完全相同的問題。不過由于晶體管的基極一發(fā)射極間電壓VBE與二極管的電壓降相同，所以如圖4.9所示對(duì)各晶體管來說，移動(dòng)一個(gè)二極管的偏壓就可以了。而FET的VGS當(dāng)然不止是一個(gè)二極管的偏壓值。
    圖4.8的電路是實(shí)驗(yàn)性電路，它利用30kQ電阻昀電壓降作為MOSFET的偏置電壓。由于FET的VGS也與晶體管的VBE同樣地隨溫度而變化，所以在要求取出大電流的應(yīng)用中必須給偏置電路加溫度補(bǔ)償，并對(duì)上下FET接人源極電阻以限制電流。