測(cè)定振幅頻率特性
發(fā)布時(shí)間:2012/5/22 19:38:46 訪問(wèn)次數(shù):1004
圖4.10是圖4.1的電ADS1100A0IDBVR路接2k\Q負(fù)載電阻時(shí)測(cè)得的低頻范圍振幅頻率特性。
電路的增益略小于OdB(=1倍)。
低頻截止頻率fcl約7.6Hz,與用式(4.4)計(jì)算得到的輸出端形成高通濾波器時(shí)的截止頻率(8Hz)基本一致。
輸入端高通濾波器的截止頻率比較低(由式(4.3)得到0. 03Hz),在這個(gè)曲線中看不到。
圖4.11是高頻范圍(lookHz~lOOMHz)電壓增益和相位的頻率特性。電壓增益差不多是OdB,相位為0。(輸入輸出同相),特性一直到10MHz附近完全是平直的。到100MHz附近電壓增益下降,即使這樣僅僅下降了約ldB,而增益下降3dB的點(diǎn)——高頻截止頻率在頻率更高的位置。
圖4.10是圖4.1的電ADS1100A0IDBVR路接2k\Q負(fù)載電阻時(shí)測(cè)得的低頻范圍振幅頻率特性。
電路的增益略小于OdB(=1倍)。
低頻截止頻率fcl約7.6Hz,與用式(4.4)計(jì)算得到的輸出端形成高通濾波器時(shí)的截止頻率(8Hz)基本一致。
輸入端高通濾波器的截止頻率比較低(由式(4.3)得到0. 03Hz),在這個(gè)曲線中看不到。
圖4.11是高頻范圍(lookHz~lOOMHz)電壓增益和相位的頻率特性。電壓增益差不多是OdB,相位為0。(輸入輸出同相),特性一直到10MHz附近完全是平直的。到100MHz附近電壓增益下降,即使這樣僅僅下降了約ldB,而增益下降3dB的點(diǎn)——高頻截止頻率在頻率更高的位置。
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