圖5.14是低頻范圍電壓增益的LM3S811-IQN50-C2頻率特性(8CZ負載)。電壓增益如計算的那樣約為20dB。低頻截止頻率CL約1.4Hz，與由Cl和R2構(gòu)成的高通濾波器的截止頻率(1.6Hz)基本相等。

    圖5.15是高頻范圍電壓增益的頻率特性（8Q負載）。高頻截止頻率CH約為186kHz，與由C2、R4構(gòu)成的低通濾波器的截止頻率(180kHz)基本相等。

              
    圖5.16是輸入端短路時測得的輸出端噪聲頻譜圖(8fl負載)。由于MOS-FET作為電壓增益為OdB的源極跟隨器使用，可以認為MOSFET幾乎不輸出噪聲。這就是說這個噪聲特性就是電壓放大級使用的OP放大器的特性�？傊鳛楣β史糯笃髟肼曤娖接行└�。