柵極接地電路的設(shè)計
發(fā)布時間:2012/5/24 19:55:56 訪問次數(shù):831
圖6.1電路的設(shè)計指標如下表所示。為了便于對電路B0505S-1W本身的性能進行比較，這些指標與第3章源極接地放大電路的設(shè)計指標相同。
電源電壓與FET的選擇
與源極接地電路相同，電源電壓取值應(yīng)該比最大輸出電壓十源極電阻（本電路中是RS+R3）上的電壓降(最低1～2V)之和大。在這個電路中還要加上OP放大器的電源電壓，所以取V DD =15V。
為了便于分析源極接地與柵極接地電路結(jié)構(gòu)的性能差別，F(xiàn)ET也選用與源極接地電路相同的N溝JFET 2SK184GR。
柵極接地電路中選擇FET的基準也與源極接地電路相同：柵極一漏極間電壓的最大額定值V GDS高于電源電壓(在本電路中VGDs>VDD =15V)，漏極飽和電流IDSS要比電路中設(shè)定的漏極電流大(關(guān)于漏極電流，在選定FET后可以設(shè)定低于IDSS)。當然，使用MOSFET時就沒有必要考慮IDSS了。
電源電壓與FET的選擇
與源極接地電路相同，電源電壓取值應(yīng)該比最大輸出電壓十源極電阻（本電路中是RS+R3）上的電壓降(最低1～2V)之和大。在這個電路中還要加上OP放大器的電源電壓，所以取V DD =15V。
為了便于分析源極接地與柵極接地電路結(jié)構(gòu)的性能差別，F(xiàn)ET也選用與源極接地電路相同的N溝JFET 2SK184GR。
柵極接地電路中選擇FET的基準也與源極接地電路相同：柵極一漏極間電壓的最大額定值V GDS高于電源電壓(在本電路中VGDs>VDD =15V)，漏極飽和電流IDSS要比電路中設(shè)定的漏極電流大(關(guān)于漏極電流，在選定FET后可以設(shè)定低于IDSS)。當然，使用MOSFET時就沒有必要考慮IDSS了。
圖6.1電路的設(shè)計指標如下表所示。為了便于對電路B0505S-1W本身的性能進行比較，這些指標與第3章源極接地放大電路的設(shè)計指標相同。
電源電壓與FET的選擇
與源極接地電路相同，電源電壓取值應(yīng)該比最大輸出電壓十源極電阻（本電路中是RS+R3）上的電壓降(最低1～2V)之和大。在這個電路中還要加上OP放大器的電源電壓，所以取V DD =15V。
為了便于分析源極接地與柵極接地電路結(jié)構(gòu)的性能差別，F(xiàn)ET也選用與源極接地電路相同的N溝JFET 2SK184GR。
柵極接地電路中選擇FET的基準也與源極接地電路相同：柵極一漏極間電壓的最大額定值V GDS高于電源電壓(在本電路中VGDs>VDD =15V)，漏極飽和電流IDSS要比電路中設(shè)定的漏極電流大(關(guān)于漏極電流，在選定FET后可以設(shè)定低于IDSS)。當然，使用MOSFET時就沒有必要考慮IDSS了。
電源電壓與FET的選擇
與源極接地電路相同，電源電壓取值應(yīng)該比最大輸出電壓十源極電阻（本電路中是RS+R3）上的電壓降(最低1～2V)之和大。在這個電路中還要加上OP放大器的電源電壓，所以取V DD =15V。
為了便于分析源極接地與柵極接地電路結(jié)構(gòu)的性能差別，F(xiàn)ET也選用與源極接地電路相同的N溝JFET 2SK184GR。
柵極接地電路中選擇FET的基準也與源極接地電路相同：柵極一漏極間電壓的最大額定值V GDS高于電源電壓(在本電路中VGDs>VDD =15V)，漏極飽和電流IDSS要比電路中設(shè)定的漏極電流大(關(guān)于漏極電流，在選定FET后可以設(shè)定低于IDSS)。當然，使用MOSFET時就沒有必要考慮IDSS了。
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