Ci是否真的沒有構(gòu)成低通MSP430F1232IPWR濾波器？為了確認(rèn)這一點(diǎn)，如圖6.7所示在源極一GND間連接了一個lOyF的電容器(如果FET的輸入電容等效為lOtLF)。
    照片6.9是給圖6.7的電路輸入lkHz、1VP-P，的正弦波時的輸入輸出波形。果FET的榆入電容影響到電路的工作，那么源極連接的10FLF電容器與Rs就應(yīng)該構(gòu)成低通濾波器（認(rèn)為信號源的輸出阻抗為零）。
    這個低通濾波器的截止頻率為16Hz，那么lkHz的信號應(yīng)該被充分衰減(計算得衰減量為36dB)，不應(yīng)該出現(xiàn)輸出信號。
    但是，如照片6.9所示輸出端出現(xiàn)了0.46VP-P的信號（實(shí)際的電路中，源極的阻抗對于GND不為零，所以本來的2.7VP-P降低為0.46VP-P，還出現(xiàn)了輸入輸出波形的相位差）
    由此可以說明在柵極接地放大電路中，輸入電容并沒有構(gòu)成低通濾波器。

    因此，柵極接地比源極接地的頻率特性好�；蛘哒f，柵極接地的頻率特性是FET本來的特性；源極接地時由于密勒效應(yīng)而增大了輸入電容使本來的頻率特性被掩蓋了。