關于柵一陰放大連接MSP430F1101AIPWR電路的設計方法，在Tri的周圍與源極接地放大電路完全相同，在Tr2的周圍與柵極接地放大電路完全相同。就是說Tri與Trz的源極電流（一漏極電流）由Tri的柵偏壓與源極電阻Rs決定（源極接地放大電路的設計），Trz的源極電位由Tr2的柵偏壓決定（柵極接地放大電路的設計）。
    確定柵一陰放大連接的工作點時需要注意的是加在Tri的漏極一源極間的電壓有多大。
    圖6.15是2SK184的輸入電容CiISS與漏極一源極間電壓VDS的關系曲線。當VDS小時，CiSS變大，這成為電路頻率特性惡化的原因（CiSS是形成低通濾波器的重要因素）。因此，對于一般的JFET應設定VDS在1V以上。圖6.14的電路中設定VDS一3.25V。

    不過一般的柵極接地放大電路中柵極是用電容器接地的（圖6.1的C5），而圖6.14的Tr2的柵極卻不是用電容器接地。這是因為連接到Trz的信號源，也就是Tri的阻抗比Trz的柵偏置電路的阻抗大得多（源極接地的漏極阻抗被認為是無窮大），所以柵極接地的電容器可以略去。