提高晶體管開(kāi)關(guān)速度的另一個(gè)方法是88E6218-LG01利用肖特基二極管箍位。這種方法是74LS、74ALS、74AS等典型的數(shù)字lC TTL的內(nèi)部電路中所采用的技術(shù)。
    圖8.14是對(duì)圖8.5的電路進(jìn)行肖特基箍位的電路。所謂肖特基箍位在基極一集電極之間接入肖特基二極管。這種二極管不是PN結(jié)，而是由金屬與半導(dǎo)體接觸形成具有整流作用的二極管，其特點(diǎn)是開(kāi)關(guān)速度快，正向電壓降VF比硅PN結(jié)小，準(zhǔn)確地說(shuō)叫做肖特基勢(shì)壘二極管。這里的肖特基二極管采用1SS286（日立）。
    照片8.7是給圖8.14的電路輸入lOOkHz、OV/+5V方波時(shí)的輸入輸出波形，可以看出其效果與接入加速電容（參見(jiàn)照片8.6）時(shí)相同，晶體管從導(dǎo)通狀態(tài)變化到截止?fàn)顟B(tài)時(shí)沒(méi)有看到時(shí)間滯后。
    圖8.15是圖8.14的電路中晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)(輸出為OV)時(shí)的動(dòng)作。如圖8.16所示，肖特基二極管的正向電壓降VF比晶體管的VBE小(圖8.14電路中的VF≈0. 3V)，所以本來(lái)應(yīng)該流過(guò)晶體管的大部分基極電流現(xiàn)在通過(guò)Di被旁路掉了。這時(shí)流過(guò)晶體管的基極電流非常小，所以可以認(rèn)為這時(shí)晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)很接近截止?fàn)顟B(tài)。
    因此，如照片8.7所示從導(dǎo)通狀態(tài)變化到截止?fàn)顟B(tài)時(shí)的時(shí)間滯后非常�。ɑ鶚O電流小，所以電荷存儲(chǔ)效應(yīng)的影響�。�。照片8.7中，輸出波形由OV變化到+5V時(shí)之所以波形上升沿不很陡，是由于Ri與晶體管密勒效應(yīng)構(gòu)成低通濾波器的影響，與電荷存儲(chǔ)效應(yīng)沒(méi)有關(guān)系。