圖9.10是采用P溝JFET的源極跟隨器型MSA1105TR1G開關(guān)電路。與圖9采用N溝器件的電路相比較，電路構(gòu)成只是把電源和GND調(diào)換（注意使用正電源）。
    照片9.8是給圖9.10的電路輸入1MHz、OV/+5V方波時(shí)的輸入輸出波形。與采用N溝器件的電路一樣，輸入輸出的相位相同，其波形表現(xiàn)出高速動(dòng)作的源極跟隨器電路的性質(zhì)。

                      
  
    關(guān)于輸入輸出信號的電平，當(dāng)口i一OV時(shí)VO=OV，而vi=+5V時(shí)口。一+3.3V(比+5V低了1.7V)。這也是由于P溝JFET所具有的耗盡特性。
    這個(gè)電路的基礎(chǔ)也是源極跟隨器，所以源極電位保持一定的VGS值并追隨柵極電位。
    如圖9.3(b)所示，對于P溝JFET來說當(dāng)有漏極電流流過時(shí)，源極相對于柵極的電位降低。所以如照片9.8所示，v1=+5V時(shí)源極電位比柵極電位低1.7V(指示的電壓)。這就是說傳輸特性曲線上ID與y GS的平衡點(diǎn)是在VGS一1.7V，ID—0.36m(=1.7V/4.7ktl)處。
    當(dāng)vi—OV時(shí)，源極電位也要比柵極電位(一OV)低。不過由于不能低于GND電平，所以源極電位是OV(實(shí)際的電路中，如照片9.8所示，其值略高于OV)。