開關用FET的選擇
發(fā)布時間:2012/5/31 20:06:59 訪問次數:738
開關器件可以使用JFET也可MADCSM0012以使用MOSFET,N溝、P溝器件都可以。不過這里考慮到容易獲得以及價格因素,選擇N溝JFET 2SK330(東芝)。
目前還無法確定電源電壓和電路結構。不過從設計措標的輸入信號和控制信
號電平等來考慮,選擇柵極一源極間最大額定值GDS=-50V的2SK330在耐壓方面是足夠了(當然在確定電路的電源電壓時應該在不超過GDS的范圍)。
使用FET模擬開關時的導通電阻是器件跨導gm的倒數(注意:gM的單位是Q的倒數S)。由表3.2可知,2SK330的gM等于正向傳輸導納IyfSl,最小為1.5ms。
因此在使用gm一1.5ms的器件的場合,這個電路的導通電阻RON約為670Q,(約Ims/l.5ms)。能夠滿足設計指標中RON <lkfl的要求。如果希望RoN更小些,就要選擇gm更大的器件。一般來說MOSFET的gM要比JFET大,所以使用MOSFET可以作出RON小的模擬開關。在JFET的場合,由于IDSS愈大gM也就愈大,所以即使同樣的器件,也應該選用IDSS大的檔次。
目前還無法確定電源電壓和電路結構。不過從設計措標的輸入信號和控制信
號電平等來考慮,選擇柵極一源極間最大額定值GDS=-50V的2SK330在耐壓方面是足夠了(當然在確定電路的電源電壓時應該在不超過GDS的范圍)。
使用FET模擬開關時的導通電阻是器件跨導gm的倒數(注意:gM的單位是Q的倒數S)。由表3.2可知,2SK330的gM等于正向傳輸導納IyfSl,最小為1.5ms。
因此在使用gm一1.5ms的器件的場合,這個電路的導通電阻RON約為670Q,(約Ims/l.5ms)。能夠滿足設計指標中RON <lkfl的要求。如果希望RoN更小些,就要選擇gm更大的器件。一般來說MOSFET的gM要比JFET大,所以使用MOSFET可以作出RON小的模擬開關。在JFET的場合,由于IDSS愈大gM也就愈大,所以即使同樣的器件,也應該選用IDSS大的檔次。
開關器件可以使用JFET也可MADCSM0012以使用MOSFET,N溝、P溝器件都可以。不過這里考慮到容易獲得以及價格因素,選擇N溝JFET 2SK330(東芝)。
目前還無法確定電源電壓和電路結構。不過從設計措標的輸入信號和控制信
號電平等來考慮,選擇柵極一源極間最大額定值GDS=-50V的2SK330在耐壓方面是足夠了(當然在確定電路的電源電壓時應該在不超過GDS的范圍)。
使用FET模擬開關時的導通電阻是器件跨導gm的倒數(注意:gM的單位是Q的倒數S)。由表3.2可知,2SK330的gM等于正向傳輸導納IyfSl,最小為1.5ms。
因此在使用gm一1.5ms的器件的場合,這個電路的導通電阻RON約為670Q,(約Ims/l.5ms)。能夠滿足設計指標中RON <lkfl的要求。如果希望RoN更小些,就要選擇gm更大的器件。一般來說MOSFET的gM要比JFET大,所以使用MOSFET可以作出RON小的模擬開關。在JFET的場合,由于IDSS愈大gM也就愈大,所以即使同樣的器件,也應該選用IDSS大的檔次。
目前還無法確定電源電壓和電路結構。不過從設計措標的輸入信號和控制信
號電平等來考慮,選擇柵極一源極間最大額定值GDS=-50V的2SK330在耐壓方面是足夠了(當然在確定電路的電源電壓時應該在不超過GDS的范圍)。
使用FET模擬開關時的導通電阻是器件跨導gm的倒數(注意:gM的單位是Q的倒數S)。由表3.2可知,2SK330的gM等于正向傳輸導納IyfSl,最小為1.5ms。
因此在使用gm一1.5ms的器件的場合,這個電路的導通電阻RON約為670Q,(約Ims/l.5ms)。能夠滿足設計指標中RON <lkfl的要求。如果希望RoN更小些,就要選擇gm更大的器件。一般來說MOSFET的gM要比JFET大,所以使用MOSFET可以作出RON小的模擬開關。在JFET的場合,由于IDSS愈大gM也就愈大,所以即使同樣的器件,也應該選用IDSS大的檔次。
上一篇:JFET模擬開關的設計
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