靜電放電對(duì)電子工業(yè)的危害
發(fā)布時(shí)間:2012/8/13 19:28:54 訪問次數(shù):1414
在生產(chǎn)中,人們常把對(duì)LM2907N靜電敏感的電子器件稱為靜電敏感器件( SSD),這類電子器件L要是指超大規(guī)模集成電路,特別是金屬氧化膜半導(dǎo)體器件。
電子工業(yè)中,摩擦起電和人體帶電常有的情況。電子產(chǎn)品在生產(chǎn)、包裝、運(yùn)輸及裝聯(lián)成整機(jī)的加工、調(diào)試和檢測(cè)過程中,難免受到外界或自身的接觸摩擦而形成很高的表面電位,如果操作者不采取靜電防護(hù)措施,人體靜電電位可高達(dá)1.5~3kV。因此無論是摩擦起電或是人體靜電均會(huì)對(duì)靜電敏感電子器件造成損壞。靜電損壞大體上分為兩類,包括由靜電引起的對(duì)浮塵的吸附及由靜電放電引起的敏感元器件的擊穿,其中擊穿又分硬擊穿和軟擊穿兩種情況。
1)靜電吸附
在半導(dǎo)體和半導(dǎo)體器件制造過程中,由于高分子材料等具有高絕緣性,易積聚很高的靜電,并易吸附空氣中的帶電微粒,導(dǎo)致半導(dǎo)體介質(zhì)擊穿而失效,為了防止這種危害的產(chǎn)生,半導(dǎo)體和半導(dǎo)體器件的制造必須在潔凈室內(nèi)進(jìn)行。同時(shí)潔凈室的墻壁、天花板、地板和操作人員,以及一切工具、器具均應(yīng)采取防靜電措施。
2)硬擊穿和軟擊穿
隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步,特別是金屬氧化物半導(dǎo)體( MOS)器件的出現(xiàn),超大規(guī)模集成電路集成度和輸入陽抗越來越高,這類器件對(duì)靜電越來越敏感。靜電放電對(duì)靜電敏感器件損害的主要表現(xiàn)為兩種形式。一是硬擊穿,造成整個(gè)器件的失效和損壞;二是軟擊穿,造成器件的局部損傷,降低了器件的技術(shù)性能,由此留下不易被人發(fā)現(xiàn)的隱患,以致設(shè)備不能正常工作。軟擊穿帶來的危害有時(shí)比硬擊穿更危險(xiǎn),軟擊穿的初期往往只是性能稍有下降,產(chǎn)品在使用過程中隨著時(shí)間的推移,軟擊穿發(fā)展為元器件的永久性失效,并導(dǎo)致設(shè)備受損。靜電導(dǎo)致器件失效大致包括兩個(gè)原因:一是因靜電電壓導(dǎo)致器件失效,主要有介質(zhì)擊穿、表面擊穿和電弧放電;二是因靜電功率導(dǎo)致器件失效,主要有熱二次擊穿、體積擊穿和金屬噴鍍?nèi)廴凇?/FONT>
電子工業(yè)中,摩擦起電和人體帶電常有的情況。電子產(chǎn)品在生產(chǎn)、包裝、運(yùn)輸及裝聯(lián)成整機(jī)的加工、調(diào)試和檢測(cè)過程中,難免受到外界或自身的接觸摩擦而形成很高的表面電位,如果操作者不采取靜電防護(hù)措施,人體靜電電位可高達(dá)1.5~3kV。因此無論是摩擦起電或是人體靜電均會(huì)對(duì)靜電敏感電子器件造成損壞。靜電損壞大體上分為兩類,包括由靜電引起的對(duì)浮塵的吸附及由靜電放電引起的敏感元器件的擊穿,其中擊穿又分硬擊穿和軟擊穿兩種情況。
1)靜電吸附
在半導(dǎo)體和半導(dǎo)體器件制造過程中,由于高分子材料等具有高絕緣性,易積聚很高的靜電,并易吸附空氣中的帶電微粒,導(dǎo)致半導(dǎo)體介質(zhì)擊穿而失效,為了防止這種危害的產(chǎn)生,半導(dǎo)體和半導(dǎo)體器件的制造必須在潔凈室內(nèi)進(jìn)行。同時(shí)潔凈室的墻壁、天花板、地板和操作人員,以及一切工具、器具均應(yīng)采取防靜電措施。
2)硬擊穿和軟擊穿
隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步,特別是金屬氧化物半導(dǎo)體( MOS)器件的出現(xiàn),超大規(guī)模集成電路集成度和輸入陽抗越來越高,這類器件對(duì)靜電越來越敏感。靜電放電對(duì)靜電敏感器件損害的主要表現(xiàn)為兩種形式。一是硬擊穿,造成整個(gè)器件的失效和損壞;二是軟擊穿,造成器件的局部損傷,降低了器件的技術(shù)性能,由此留下不易被人發(fā)現(xiàn)的隱患,以致設(shè)備不能正常工作。軟擊穿帶來的危害有時(shí)比硬擊穿更危險(xiǎn),軟擊穿的初期往往只是性能稍有下降,產(chǎn)品在使用過程中隨著時(shí)間的推移,軟擊穿發(fā)展為元器件的永久性失效,并導(dǎo)致設(shè)備受損。靜電導(dǎo)致器件失效大致包括兩個(gè)原因:一是因靜電電壓導(dǎo)致器件失效,主要有介質(zhì)擊穿、表面擊穿和電弧放電;二是因靜電功率導(dǎo)致器件失效,主要有熱二次擊穿、體積擊穿和金屬噴鍍?nèi)廴凇?/FONT>
在生產(chǎn)中,人們常把對(duì)LM2907N靜電敏感的電子器件稱為靜電敏感器件( SSD),這類電子器件L要是指超大規(guī)模集成電路,特別是金屬氧化膜半導(dǎo)體器件。
電子工業(yè)中,摩擦起電和人體帶電常有的情況。電子產(chǎn)品在生產(chǎn)、包裝、運(yùn)輸及裝聯(lián)成整機(jī)的加工、調(diào)試和檢測(cè)過程中,難免受到外界或自身的接觸摩擦而形成很高的表面電位,如果操作者不采取靜電防護(hù)措施,人體靜電電位可高達(dá)1.5~3kV。因此無論是摩擦起電或是人體靜電均會(huì)對(duì)靜電敏感電子器件造成損壞。靜電損壞大體上分為兩類,包括由靜電引起的對(duì)浮塵的吸附及由靜電放電引起的敏感元器件的擊穿,其中擊穿又分硬擊穿和軟擊穿兩種情況。
1)靜電吸附
在半導(dǎo)體和半導(dǎo)體器件制造過程中,由于高分子材料等具有高絕緣性,易積聚很高的靜電,并易吸附空氣中的帶電微粒,導(dǎo)致半導(dǎo)體介質(zhì)擊穿而失效,為了防止這種危害的產(chǎn)生,半導(dǎo)體和半導(dǎo)體器件的制造必須在潔凈室內(nèi)進(jìn)行。同時(shí)潔凈室的墻壁、天花板、地板和操作人員,以及一切工具、器具均應(yīng)采取防靜電措施。
2)硬擊穿和軟擊穿
隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步,特別是金屬氧化物半導(dǎo)體( MOS)器件的出現(xiàn),超大規(guī)模集成電路集成度和輸入陽抗越來越高,這類器件對(duì)靜電越來越敏感。靜電放電對(duì)靜電敏感器件損害的主要表現(xiàn)為兩種形式。一是硬擊穿,造成整個(gè)器件的失效和損壞;二是軟擊穿,造成器件的局部損傷,降低了器件的技術(shù)性能,由此留下不易被人發(fā)現(xiàn)的隱患,以致設(shè)備不能正常工作。軟擊穿帶來的危害有時(shí)比硬擊穿更危險(xiǎn),軟擊穿的初期往往只是性能稍有下降,產(chǎn)品在使用過程中隨著時(shí)間的推移,軟擊穿發(fā)展為元器件的永久性失效,并導(dǎo)致設(shè)備受損。靜電導(dǎo)致器件失效大致包括兩個(gè)原因:一是因靜電電壓導(dǎo)致器件失效,主要有介質(zhì)擊穿、表面擊穿和電弧放電;二是因靜電功率導(dǎo)致器件失效,主要有熱二次擊穿、體積擊穿和金屬噴鍍?nèi)廴凇?/FONT>
電子工業(yè)中,摩擦起電和人體帶電常有的情況。電子產(chǎn)品在生產(chǎn)、包裝、運(yùn)輸及裝聯(lián)成整機(jī)的加工、調(diào)試和檢測(cè)過程中,難免受到外界或自身的接觸摩擦而形成很高的表面電位,如果操作者不采取靜電防護(hù)措施,人體靜電電位可高達(dá)1.5~3kV。因此無論是摩擦起電或是人體靜電均會(huì)對(duì)靜電敏感電子器件造成損壞。靜電損壞大體上分為兩類,包括由靜電引起的對(duì)浮塵的吸附及由靜電放電引起的敏感元器件的擊穿,其中擊穿又分硬擊穿和軟擊穿兩種情況。
1)靜電吸附
在半導(dǎo)體和半導(dǎo)體器件制造過程中,由于高分子材料等具有高絕緣性,易積聚很高的靜電,并易吸附空氣中的帶電微粒,導(dǎo)致半導(dǎo)體介質(zhì)擊穿而失效,為了防止這種危害的產(chǎn)生,半導(dǎo)體和半導(dǎo)體器件的制造必須在潔凈室內(nèi)進(jìn)行。同時(shí)潔凈室的墻壁、天花板、地板和操作人員,以及一切工具、器具均應(yīng)采取防靜電措施。
2)硬擊穿和軟擊穿
隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步,特別是金屬氧化物半導(dǎo)體( MOS)器件的出現(xiàn),超大規(guī)模集成電路集成度和輸入陽抗越來越高,這類器件對(duì)靜電越來越敏感。靜電放電對(duì)靜電敏感器件損害的主要表現(xiàn)為兩種形式。一是硬擊穿,造成整個(gè)器件的失效和損壞;二是軟擊穿,造成器件的局部損傷,降低了器件的技術(shù)性能,由此留下不易被人發(fā)現(xiàn)的隱患,以致設(shè)備不能正常工作。軟擊穿帶來的危害有時(shí)比硬擊穿更危險(xiǎn),軟擊穿的初期往往只是性能稍有下降,產(chǎn)品在使用過程中隨著時(shí)間的推移,軟擊穿發(fā)展為元器件的永久性失效,并導(dǎo)致設(shè)備受損。靜電導(dǎo)致器件失效大致包括兩個(gè)原因:一是因靜電電壓導(dǎo)致器件失效,主要有介質(zhì)擊穿、表面擊穿和電弧放電;二是因靜電功率導(dǎo)致器件失效,主要有熱二次擊穿、體積擊穿和金屬噴鍍?nèi)廴凇?/FONT>
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