照片10.7是用AM26LS32CN純電阻(33Q)代替電動(dòng)機(jī)負(fù)載（因?yàn)橛秒妱?dòng)機(jī)負(fù)載有反電動(dòng)勢(shì)的影響，不好解釋輸出波形上升沿出現(xiàn)的現(xiàn)象），給A加OV／5V、lkH：方波，B=OV時(shí)輸出端的波形。輸出波形之所以彎曲并不是因?yàn)镸OSFET的開(kāi)關(guān)速度慢，而是驅(qū)動(dòng)MOSFET的電路的波形彎曲（由于R1～R4與MOSFET的輸入電容構(gòu)成的時(shí)常數(shù)所致）。（把輸出波形的上升部分放大，就可以看到這些彎曲。這是由干Ri～R。與MOSFET的輸入電容構(gòu)成的時(shí)常數(shù)所致）。

                 
    如圖10.15所示，在十輸出的場(chǎng)合，輸出波形與Vcc之差加在作為開(kāi)關(guān)器件使用的MOSFET的漏極一源極之間（一輸出的場(chǎng)合是輸出波形與GND之差），這時(shí)由于流過(guò)的漏極電流在MOSFET中產(chǎn)生熱損耗（一漏極一源極間電壓×漏極電流）。所以必須注意，如果發(fā)現(xiàn)輸出波形的彎曲過(guò)于嚴(yán)重，意味著這種熱損耗將會(huì)燒壞MOSFET。
    當(dāng)開(kāi)關(guān)速度不太快（在電動(dòng)機(jī)控制中為kHz的數(shù)量級(jí)）時(shí)沒(méi)有什么問(wèn)題，不過(guò)像調(diào)整器那樣進(jìn)行高速開(kāi)關(guān)(數(shù)十kHz至數(shù)MHz)時(shí)，由于開(kāi)關(guān)波形的彎曲所產(chǎn)生的熱損耗會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的后果。在高速開(kāi)關(guān)電路的場(chǎng)合，必須降低驅(qū)動(dòng)電路的輸出阻抗，使得MOSFET的輸入電容能夠高速地充／放電。