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場效應(yīng)晶體管好

發(fā)布時(shí)間:2012/9/2 20:43:57 訪問次數(shù):887

    場效應(yīng)晶88AP166-B0-BJD2C008體管(Field Effect Transistor,  FET),簡稱場效應(yīng)管,是一種帶有PN結(jié)的新型半導(dǎo)體器件。場效應(yīng)管與半導(dǎo)體三極管的控制機(jī)理不同,它是一種電壓控制器件,即利用電場效應(yīng)來控制管子的電流,故命名為場效應(yīng)管。與半導(dǎo)體三極管相比,場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、制造工藝簡單、噪聲系數(shù)小、熱穩(wěn)定性好及動(dòng)態(tài)范圍大等優(yōu)點(diǎn),特別適用于大規(guī)模集成電路,在高頻、中頻、低頻、直流、開關(guān)及阻抗變換電路中都有廣泛應(yīng)用。如圖10-1所示為電路中常見的場效應(yīng)管。
    目前場效應(yīng)管的品種很多,可劃分為兩大類,一類是結(jié)型場效應(yīng)管,另一類是絕緣柵型場效應(yīng)管,而且每種結(jié)構(gòu)又有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電溝道。
    結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號如圖10-2所示。

                       

    在N型硅棒兩端引出漏極D和源極S兩個(gè)電極,又在硅棒的兩側(cè)各做一個(gè)P區(qū),形成兩個(gè)PN結(jié)。在P區(qū)引出電極并連接起來,稱為柵極G。這樣就構(gòu)成了N型溝道的場效應(yīng)管。

           
    由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,故PN基本上是不導(dǎo)電的,形成了所謂耗盡區(qū)。當(dāng)漏極電源電壓UD -定時(shí),如果柵極電壓越負(fù),PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄,漏極電流七就愈。环粗,如果柵極電壓UG沒有那么負(fù),則溝道變寬、變大,所以用柵極電壓UG可以控制漏極電流/D的變化,就是說,場效應(yīng)管是電壓控制元件。

    場效應(yīng)晶88AP166-B0-BJD2C008體管(Field Effect Transistor,  FET),簡稱場效應(yīng)管,是一種帶有PN結(jié)的新型半導(dǎo)體器件。場效應(yīng)管與半導(dǎo)體三極管的控制機(jī)理不同,它是一種電壓控制器件,即利用電場效應(yīng)來控制管子的電流,故命名為場效應(yīng)管。與半導(dǎo)體三極管相比,場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、制造工藝簡單、噪聲系數(shù)小、熱穩(wěn)定性好及動(dòng)態(tài)范圍大等優(yōu)點(diǎn),特別適用于大規(guī)模集成電路,在高頻、中頻、低頻、直流、開關(guān)及阻抗變換電路中都有廣泛應(yīng)用。如圖10-1所示為電路中常見的場效應(yīng)管。
    目前場效應(yīng)管的品種很多,可劃分為兩大類,一類是結(jié)型場效應(yīng)管,另一類是絕緣柵型場效應(yīng)管,而且每種結(jié)構(gòu)又有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電溝道。
    結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號如圖10-2所示。

                       

    在N型硅棒兩端引出漏極D和源極S兩個(gè)電極,又在硅棒的兩側(cè)各做一個(gè)P區(qū),形成兩個(gè)PN結(jié)。在P區(qū)引出電極并連接起來,稱為柵極G。這樣就構(gòu)成了N型溝道的場效應(yīng)管。

           
    由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,故PN基本上是不導(dǎo)電的,形成了所謂耗盡區(qū)。當(dāng)漏極電源電壓UD -定時(shí),如果柵極電壓越負(fù),PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄,漏極電流七就愈。环粗,如果柵極電壓UG沒有那么負(fù),則溝道變寬、變大,所以用柵極電壓UG可以控制漏極電流/D的變化,就是說,場效應(yīng)管是電壓控制元件。

相關(guān)技術(shù)資料
9-2場效應(yīng)晶體管
9-2場效應(yīng)晶體管好
相關(guān)IC型號
88AP166-B0-BJD2C008
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