場效應晶88AP166-B0-BJD2C008體管（Field Effect Transistor,  FET），簡稱場效應管，是一種帶有PN結(jié)的新型半導體器件。場效應管與半導體三極管的控制機理不同，它是一種電壓控制器件，即利用電場效應來控制管子的電流，故命名為場效應管。與半導體三極管相比，場效應管具有輸入阻抗高、制造工藝簡單、噪聲系數(shù)小、熱穩(wěn)定性好及動態(tài)范圍大等優(yōu)點，特別適用于大規(guī)模集成電路，在高頻、中頻、低頻、直流、開關及阻抗變換電路中都有廣泛應用。如圖10-1所示為電路中常見的場效應管。
    目前場效應管的品種很多，可劃分為兩大類，一類是結(jié)型場效應管，另一類是絕緣柵型場效應管，而且每種結(jié)構(gòu)又有N溝道和P溝道兩種導電溝道。
    結(jié)型場效應管的結(jié)構(gòu)及符號如圖10-2所示。

    在N型硅棒兩端引出漏極D和源極S兩個電極，又在硅棒的兩側(cè)各做一個P區(qū)，形成兩個PN結(jié)。在P區(qū)引出電極并連接起來，稱為柵極G。這樣就構(gòu)成了N型溝道的場效應管。

           
    由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導電的，形成了所謂耗盡區(qū)。當漏極電源電壓UD -定時，如果柵極電壓越負，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏、源極之間導電的溝道越窄，漏極電流七就愈小；反之，如果柵極電壓UG沒有那么負，則溝道變寬、變大，所以用柵極電壓UG可以控制漏極電流／D的變化，就是說，場效應管是電壓控制元件。