IPC推薦的電子組裝件操作的習(xí)慣做法
發(fā)布時(shí)間:2014/5/9 20:59:01 訪問次數(shù):462
1.關(guān)注靜電釋放(ESD)模式的變化
不同靜電釋放(ESD)和電氣過載(EOS)的模式需要不同的防御處理方法。
2.關(guān)注電氣過載(EOS)損害的防護(hù)
在操作敏感元件前, M24128-BRDW6TP需要仔細(xì)測(cè)試工具和設(shè)備,保證它們不產(chǎn)生破壞電能,包括尖峰脈沖。目前的研究表明,小于0.5V的電壓和脈沖是可以接受的。但是,如果要使用大量的高敏感度元件,則要求烙鐵、吸錫器、測(cè)試儀器等電子設(shè)備的脈沖小于0.3V。
3.關(guān)注靜電釋放(ESD)損害的防護(hù)
最好的ESD損害的防護(hù)方法是防止靜電積聚和迅速消除已經(jīng)積聚的靜電。
因此,要采用池漏與接地的方法使導(dǎo)體上的靜電泄漏到大地。
4.關(guān)注SSD的延時(shí)失效
SSD失效可分為即時(shí)和延時(shí)兩種形式。即時(shí)失效(如元件全然破壞)可以重新測(cè)試、修理或報(bào)廢;而延時(shí)失效(如元件輕微受損,在正常測(cè)試下不易發(fā)現(xiàn))的結(jié)果卻嚴(yán)重得多,即使產(chǎn)品已經(jīng)通過了所有的檢驗(yàn)與測(cè)試,仍有可能在送到客戶手中后失效。
5.使用防靜電工作臺(tái)( EPA)
這部分內(nèi)容前面已經(jīng)介紹過,此處不再重復(fù)。
1.關(guān)注靜電釋放(ESD)模式的變化
不同靜電釋放(ESD)和電氣過載(EOS)的模式需要不同的防御處理方法。
2.關(guān)注電氣過載(EOS)損害的防護(hù)
在操作敏感元件前, M24128-BRDW6TP需要仔細(xì)測(cè)試工具和設(shè)備,保證它們不產(chǎn)生破壞電能,包括尖峰脈沖。目前的研究表明,小于0.5V的電壓和脈沖是可以接受的。但是,如果要使用大量的高敏感度元件,則要求烙鐵、吸錫器、測(cè)試儀器等電子設(shè)備的脈沖小于0.3V。
3.關(guān)注靜電釋放(ESD)損害的防護(hù)
最好的ESD損害的防護(hù)方法是防止靜電積聚和迅速消除已經(jīng)積聚的靜電。
因此,要采用池漏與接地的方法使導(dǎo)體上的靜電泄漏到大地。
4.關(guān)注SSD的延時(shí)失效
SSD失效可分為即時(shí)和延時(shí)兩種形式。即時(shí)失效(如元件全然破壞)可以重新測(cè)試、修理或報(bào)廢;而延時(shí)失效(如元件輕微受損,在正常測(cè)試下不易發(fā)現(xiàn))的結(jié)果卻嚴(yán)重得多,即使產(chǎn)品已經(jīng)通過了所有的檢驗(yàn)與測(cè)試,仍有可能在送到客戶手中后失效。
5.使用防靜電工作臺(tái)( EPA)
這部分內(nèi)容前面已經(jīng)介紹過,此處不再重復(fù)。
熱門點(diǎn)擊
- 典型表面組裝方式
- 偶極子陣列
- PQFN焊盤設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)
- 10層板
- PCB層數(shù)及焊盤走線設(shè)計(jì)
- 基準(zhǔn)標(biāo)志(Mark)設(shè)計(jì)
- 人體模型放電產(chǎn)生的典型波形
- 驅(qū)動(dòng)電容性負(fù)載的射極跟隨器
- 差模輻射
- 送料器
推薦技術(shù)資料
- 頻譜儀的解調(diào)功能
- 現(xiàn)代頻譜儀在跟蹤源模式下也可以使用Maker和△Mak... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究