1978年，Intel公司的George Perlegos在UVEPROM技術(shù)的基礎(chǔ)上，改用薄的閘極氧化層，以便無須紫外光，芯片就可以用電信號擦除自身的信息， AD6403AS因而開發(fā)出E2PROM。因此，E2PROM是一種不用從電路板上拔下，在線直接用電信號進(jìn)行擦除和寫入的EPROM芯片。

   E2PROM可以分為片擦除和字節(jié)擦除兩種方式：片擦除時可以一次擦除芯片上的所有存儲信息（需lOms左右）；字節(jié)擦除可以一次擦隙一個字節(jié)。由于具有字節(jié)擦除這種獨(dú)特的擦除特性，使其可以通過長途通信線路進(jìn)行遠(yuǎn)距離擦除和再編程，可以根據(jù)需要選擇性地擦除一部分甚至全部內(nèi)容，所以比UVEPROM使用更方便，改寫步驟更簡單，使用壽命更長。

   ROM舉例

   27256是一種32Kx8位的UVEPROM芯片，采用雙列直插式28引腳封裝，正常工作時，采用單-+5V電源供電，其引腳排列如圖2-14 (b)所示。它采用HMOS。工藝技術(shù)制成，讀取速度快，最大讀取時間不超過250ns。正常工作時，工作電流為lOOmA;靜止等

待時，最大電流為40mA。同系列常用的型號如表2-2所示。

   27256內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖2-14 (a)所示。由圖可知，27256采用雙譯碼編址方式，AO～A14上的地址信號經(jīng)過X和Y譯碼后，在X選擇線和Y選擇線上產(chǎn)生選擇信號，選中存儲陣列中相應(yīng)地址的存儲單元工作，并在控制電路的控制下對所選中的存儲單元進(jìn)行讀操作（或編程寫操作），從存儲單元讀出的8位二進(jìn)制信息經(jīng)過輸出緩沖器送到數(shù)據(jù)線00～07上。在編程方式下，00～07上的編程信息在控制電路的控制下寫入存儲陣列的相應(yīng)存儲單元。