一次性可編程的只讀存儲(chǔ)器允許用戶(hù)自己編程一次。在PROM申，常用多發(fā)射極的晶體管做存儲(chǔ)單元，如圖2-12所示，發(fā)射極上串接了可溶性金屬絲，AD603AQ出廠(chǎng)時(shí)熔絲都是完整的，管子將位線(xiàn)與字選線(xiàn)連通，表示存有0信息（反相后為1）。用戶(hù)編程時(shí)，在脈沖的作用下，使熔絲斷開(kāi)，便實(shí)現(xiàn)了對(duì)PROM的編程。由于熔絲燒斷后無(wú)法恢復(fù)，所以，PROM只能實(shí)可擦除可編程的ROM簡(jiǎn)稱(chēng)為EPROM，用戶(hù)既可以采取某種方法對(duì)這種只讀存儲(chǔ)器自行寫(xiě)入信息，也可以采用某種方法將信息全部擦除，而且擦除后可以重新寫(xiě)入新的信息。根據(jù)擦除的方法不同，EPROM可以分為兩種：一種是“用紫外線(xiàn)擦除的EPROM”，簡(jiǎn)稱(chēng)為UVEPROM（Ultra Violet EPROM）；另一種是“用電擦除的EPROM”，簡(jiǎn)稱(chēng)為EEPROM

( Electrically EPROM)或E2PROM。

   UVEPROM

   UVEPROM的基本存儲(chǔ)位元主要由一只浮置柵雪崩注入式MOS管(Floating gateAvalanche injection MOS，F(xiàn)AMOS)構(gòu)成。其中，F(xiàn)AMOS管可以分為P溝道FAMOS管和N溝道FAMOS管兩種，下面以P溝道FAMOS管為例來(lái)介紹其工作原理。

   如圖2-13所示，P溝道FAMOS管有一個(gè)生長(zhǎng)在同一基片上的源極S和漏極D，它們分別往下在基片上生長(zhǎng)了高濃度的P型區(qū)，源極和漏極之間為絕緣的二氧化硅層，。在其間埋設(shè)了一個(gè)浮置柵。FAMOS管是通過(guò)浮置柵內(nèi)有無(wú)電荷生成導(dǎo)電溝道而存儲(chǔ)信息的，即浮置柵內(nèi)若有屯荷，F(xiàn)AMOS管導(dǎo)通后，可表示管內(nèi)存“0”，否則可表示存“l(fā)”。對(duì)于P溝道的FAMOS管，只要在源極和漏極之間加21V的高電壓，便會(huì)在源漏極之間發(fā)生雪崩擊穿，電荷注入到浮置柵內(nèi)。高電壓撤除后，浮置柵內(nèi)的電荷由于受到二氧化硅的包圍和無(wú)處泄漏，因而保存下來(lái)。

   對(duì)UVEPROM的擦除原理是用紫外光照射，即用高能光子將浮置柵上的電子驅(qū)逐出去，使其返回基片，相應(yīng)的位由原來(lái)的0變?yōu)?狀態(tài)。因此UVEPROM外殼上方的中央制作有一個(gè)圓形的石英玻璃窗口，紫外光通過(guò)窗口照進(jìn)芯片內(nèi)部實(shí)現(xiàn)片的所有單元都發(fā)生作用，所以一次擦除便實(shí)現(xiàn)整個(gè)芯片恢復(fù)全1狀態(tài)，部分擦除是不

行的。實(shí)際擦除過(guò)程必須要將UVEPROM從系統(tǒng)上拆除下來(lái)，放入專(zhuān)用的擦除器中完成。時(shí)在保管UVEPROM芯片時(shí)，由于陽(yáng)光中有紫外光的成分，為了避免EPROM的內(nèi)容被無(wú)意識(shí)地擦除，應(yīng)該用一種不透明的標(biāo)簽貼在UVEPROM的窗口上。