- 確定反饋電路的參數(shù)2012/5/29 20:00:52 2012/5/29 20:00:52
- 下面求反饋電路各EL4543IU部分的參數(shù)。R2是限流電阻，它的作用是當Trz導通時IC1的12號管腳（輸出端）不被GMD直接短路。Tr2導通時流過的是無用電流，所以如果R2值比較小，就會使電路的效...[全文]
- H電橋控制電路的結(jié)構(gòu)2012/5/28 19:53:10 2012/5/28 19:53:10
- 圖10.5是DC電動機用的SGA6489Z全橋驅(qū)動器（H開關(guān)）TA7257P（東芝）的參數(shù)表。這個IC是由兩根信號控制H電橋，具有制動／正轉(zhuǎn)／逆轉(zhuǎn)／停止4個動作模式。所謂制動是指DC電動機的(+)端...[全文]
- JFET的傳輸特性2012/5/27 20:01:52 2012/5/27 20:01:52
- 圖9.3(a)是2SK330的傳輸特性。從這個HCT245曲線可以看出，由于N溝JFET所具有的耗盡特性，當柵極對源極的電位為ov時漏極電流能夠達到最大值（一IDSS：漏極飽和電流）。這時器件處于完...[全文]
- 采用達林頓晶體管的電矧開關(guān)電路2012/5/26 15:02:47 2012/5/26 15:02:47
- 圖8.9是一例采用達林頓連TMS320LF2403APAGA接的開關(guān)電路，是一個電燈升關(guān)電路。由于晶體管是達林頓連接，所以可以用0.5mA的基極電流開關(guān)0.9A的負載。在設(shè)計大負載電流的電路時，還需...[全文]
- 視頻放大器的噪聲特性2012/5/26 14:25:25 2012/5/26 14:25:25
- 圖7.12是電流反饋型視頻放TMS320DM365ZCE27大器的噪聲頻譜。噪聲值從-llOdB到-120dB，這對于增益為6dB的放大電路來說是無可挑剔的。我們來探討它的噪聲源。射極跟隨器一般的...[全文]
- OP放大器電路的設(shè)計與制作2012/5/17 20:19:16 2012/5/17 20:19:16
- 本章對與IC相媲美的電路的實TLP250現(xiàn)進行實驗。作為模擬電路，首先登場的IC必然是OP放大器。您見過其內(nèi)部的等效電路嗎？這是相當復雜的電路。對于放大電路，從共發(fā)射極電路開始，晶體管的各種接地電...[全文]
- 視頻選擇器的應(yīng)用2012/5/14 19:50:17 2012/5/14 19:50:17
- 該電路不是如圖7.7所示的僅有雙輸入，而是LMV331IDBVR增加變換開關(guān)的接點數(shù)，可以變換更多的視頻信號。如果增加輸入變換開關(guān)的數(shù)目，聲音信號也同時進行變換，則可以作為圖7.14所示的AV選...[全文]
- 觀察對矩形波的響應(yīng)2012/5/13 18:58:53 2012/5/13 18:58:53
- 照片7.2是表示輸入1MHz、1VP-P的矩形波輸入信號TL852CDR時的輸出波形（輸出端開路）。該電路基本上是共基極的一級放大器（因為沒有射極跟隨器進行電壓放大），所以成為這樣非常整齊的響應(yīng)波...[全文]
- 噪聲及諧波失真率2012/5/13 18:06:41 2012/5/13 18:06:41
- 將圖6.2進行實驗的電路FM25W256-GTR輸入端與GND短路FM25W256-GTR來測量時，輸出端的噪聲譜在圖6.9中示出。在幾千赫茲附近的值為-137～138dB．V(≈0.14～0.13...[全文]
- 聲表面波長廷遲線性能設(shè)計2012/5/6 15:13:21 2012/5/6 15:13:21
- 聲表面波延遲線所能獲得MXA2500EL的最長延遲時間受基片尺寸的限制。在任何情況下要獲得長度超過25cm的石英、LiNb03或BilzGeozo基片都是很困難的。因此基于單次傳輸路徑的延遲線，其...[全文]
- 電容器的工藝可靠性設(shè)計主要考慮的方面2012/5/3 19:18:05 2012/5/3 19:18:05
- 1.壓制密度的設(shè)計在陽極設(shè)計過程中，壓制密度的設(shè)計至關(guān)重要。因為壓制密度LP61256GS-12是否合理不僅直接關(guān)系到產(chǎn)品漏電流、耐壓和壽命等特性，也影響產(chǎn)品等效串聯(lián)電阻是否適應(yīng)高頻應(yīng)用的需要和損...[全文]
- 降低寄生雙極管的pPNP和pNPN值2012/4/23 19:41:15 2012/4/23 19:41:15
- pPNP×pNPN>l是引起CMOS電路中寄LP3972SQ-A514生晶閘管觸發(fā)的基本條件。在加工工藝和版圖設(shè)計中可以采取如下的措施來降低寄生雙極管的pPNP和pNPN：①N阱或P阱要保證...[全文]
- ESDR失效模擬2012/4/22 17:12:28 2012/4/22 17:12:28
- 已經(jīng)提出了基于熱或電一熱的分析模型FS992-DMM4來描述電路的ESD失效現(xiàn)象。熱模型假定ESD失效與臨界溫度有關(guān)，其電參數(shù)與溫度無關(guān)，而溫度與在應(yīng)力下傳到器件的功耗有關(guān)。對于局部平行六面體熱源的...[全文]
- NMOS ESD器件2012/4/22 16:35:29 2012/4/22 16:35:29
- 圖2.26給出了柵接地NMOS(ggNMOS)ESD保護結(jié)構(gòu)。圖中漏UC3843端連接到IlOPAD，而柵接地。當在I/O端出現(xiàn)正ESD脈沖時，漏/P阱結(jié)處于反偏，直到發(fā)生擊穿為止。所產(chǎn)生的...[全文]
- 集成電路可靠性設(shè)計的主要內(nèi)容2012/4/21 19:44:21 2012/4/21 19:44:21
- 集成電路可靠性設(shè)計的重點CL2263是進行芯片的可靠性設(shè)計。芯片可靠性設(shè)計的主要內(nèi)容有：①對電路進行容差分析和優(yōu)化設(shè)計，提高芯片溫度特性和一致性，保證新品在使用要求的工作范圍內(nèi)均能可靠地工作。②在...[全文]
- 集成電路(IC)2012/4/16 20:06:26 2012/4/16 20:06:26
- 集成電路(IntegratedCircuit)是一種微型SN74AHCT1G08DCKR電子器件或部件，是將組成電路的有源元件（晶體管、二極管）、無源元件（電阻、電容等）及其互連布線，通過半導體工...[全文]
- 硬件設(shè)計2012/4/13 20:00:41 2012/4/13 20:00:41
- 多媒體視頻傳感器節(jié)點不同于普通的AT93C56A-10SU-2.7傳感器節(jié)點，它需要采集的是視頻數(shù)據(jù)，視頻數(shù)據(jù)具有實時性要求高，數(shù)據(jù)量大，速率高等特點，采集完成后必須加以壓縮編碼才能傳輸。傳統(tǒng)的傳感...[全文]
- 速斷型玻璃保險絲管2012/3/26 19:59:35 2012/3/26 19:59:35
- 速斷型玻璃保險絲管速斷型玻璃保險絲管BZT52C10LP-7的外形如圖8-3所示，其主要特性參數(shù)見表8-3。...[全文]
- CJ31A型金屬化紙介電容器2012/3/16 19:57:39 2012/3/16 19:57:39
- CJ31A型金屬化紙介電容器BBSM400GA120DN2CJ31A型金屬化紙介電容器是一種小型金屬化紙介電容器，它采用金屬外殼全密封結(jié)構(gòu)，其外形如圖4-17所示，主要特性參數(shù)見表4-27~表4...[全文]
- C240型密封紙介電容器2012/3/15 21:32:56 2012/3/15 21:32:56
- C240型密封紙介電容器PM200DHA060C240型密封紙介電容器適用于直流、交流、脈動和脈沖電路。其外形如圖4-12所示，主要特性參數(shù)見表4-16和表4-17。...[全文]
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