- 離子注人相關(guān)理論基礎(chǔ)2017/5/15 21:14:26 2017/5/15 21:14:26
- 在集成電路制造中,注入離子的能量一般為5~500keV.而注入的叉往往是重離子。這樣的注人情況,進人靶內(nèi)的離子不僅與靶內(nèi)的自由電子和束縛電子發(fā)生相互作用,而且與靶內(nèi)原子核發(fā)生相互作用。PA905...[全文]
- 表面外延過程2017/5/9 21:41:45 2017/5/9 21:41:45
- 此表面外延過程示意圖如圖⒊6所示。氣相質(zhì)LD1117S18TR量傳遞到達襯底表面的sH1分子被襯底吸附,見圖⒊6巾的1;由于襯底溫度高,使得襯底吸附的SiFI4分解成為1個⒊原子和4個H...[全文]
- 硅晶體缺陷 2017/5/7 16:44:13 2017/5/7 16:44:13
- 在微電子產(chǎn)品中作為襯底材料的硅是高度完整的晶體。盡管如此,在高度完整的晶體內(nèi)部也會存在微量缺陷。而且,在制作微電子產(chǎn)品的工藝過程中,GA1L4M-T1硅晶體內(nèi)也會產(chǎn)生缺陷,并且會根據(jù)需要人為地?fù)?..[全文]
- 化學(xué)氣相淀積等新工藝2017/5/6 17:38:49 2017/5/6 17:38:49
- 1960年外延技術(shù)出現(xiàn),誕生了外延晶體管。20世紀(jì)7o年代初,美國研制出第一臺離子注人機,NAND01GW3B2CN6E使在硅片的定域摻雜更精確、更均勻,可以在更薄的表面層內(nèi)實現(xiàn)精確摻雜,由此集...[全文]
- FY-1電子學(xué)系統(tǒng)2017/5/4 19:38:23 2017/5/4 19:38:23
- FY-1電子學(xué)系統(tǒng)(圖5-33)可見光前置放大器置于掃描器后部,紅外前置放大器裝在靠近輻冷器的衛(wèi)星體適當(dāng)位置。Q71800020000099接收的目標(biāo)輻射經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)會聚在光電探測器...[全文]
- 對于確保我國靜止氣象衛(wèi)星觀測業(yè)務(wù)的連續(xù)穩(wěn)定運行具有重要的意義2017/5/3 21:43:50 2017/5/3 21:43:50
- 到2012年為止中國已成功發(fā)射6顆地球靜止氣象衛(wèi)星,其中01批衛(wèi)星FY-2A、FY-2B和FY-2C已停止工作,脫離了地球同步軌道。M29F002BT-70K1目前在軌運行,并提供應(yīng)用服務(wù)的是∞...[全文]
- 捕獲區(qū)的要求2017/5/2 21:22:24 2017/5/2 21:22:24
- 捕獲區(qū)的要求。捕獲區(qū)M25P16-VMF6P是用來捕獲目標(biāo)的,要求捕獲區(qū)有一定寬度,以防止丟失目標(biāo)。這一段特性可呈下降形式,也可使特性曲線在整個視場內(nèi)都呈單調(diào)上升形式。跟蹤系統(tǒng)的最大跟蹤角速度、...[全文]
- 非軸對稱光學(xué)系統(tǒng)的畸變校正2017/5/1 14:13:15 2017/5/1 14:13:15
- 前面分析的畸變校正方法,只適用于光學(xué)畸變關(guān)于中心視場對稱的情況,也就是要H11G2SR2M求光學(xué)系統(tǒng)為軸對稱系統(tǒng),而對于目前被廣泛采用的非軸對稱系統(tǒng)(各種離軸光學(xué)系統(tǒng)),其光學(xué)畸變是不對稱的,例...[全文]
- 亮場掩模版2017/4/29 12:52:03 2017/4/29 12:52:03
- 亮場掩模版(clearfieldmask)：-種掩模版，其上的圖形由不透明區(qū)域決定。ADC12762CCV集簇設(shè)備(clustertool)：幾個I：藝機臺或設(shè)備共用同一加載一卸載室和晶圓傳送系...[全文]
- 紅外輻射背景2017/4/26 23:08:22 2017/4/26 23:08:22
- 紅外光電系統(tǒng)尤其是天基紅外光電系統(tǒng)的各種紅外輻射背景(雜散光),根據(jù)其空間特性、S29AL016D70TFI020光譜特性和時間特性不同有不同的分類方法,如圖4-2所示。按照雜散光的發(fā)散、匯聚程...[全文]
- 紅外探測器的性能指標(biāo)2017/4/24 21:22:09 2017/4/24 21:22:09
- 探測器的性能參數(shù)有響應(yīng)率、噪聲等效功率、探測率、比探測率、光譜響應(yīng)特性、響應(yīng)EZJS1VC392時間、響應(yīng)頻率、噪聲等。其中最為重要的是比探測率和噪聲。紅外探測器的噪聲...[全文]
- 光電導(dǎo)探測器2017/4/23 19:59:22 2017/4/23 19:59:22
- 光電導(dǎo)探測器:把光電導(dǎo)探測器看作電路中的一個元件時,其特性很像一個可變電阻器。FAN7530N探測器與負(fù)載電阻和偏壓電源串聯(lián):當(dāng)有輻射照射到探測器上時,光子引起探測器電導(dǎo)率的變化調(diào)制了流經(jīng)探測器...[全文]
- 何謂輻射度學(xué)?其基本物理量有哪些?2016/10/29 21:18:19 2016/10/29 21:18:19
- 1.何謂輻射度學(xué)?其基本物理量有哪些?AAT3236IGV-2.85-T12.何謂光度學(xué)?其基本物理量有哪些?3.輻射度學(xué)與光度學(xué)的根本區(qū)別是什么?4,...[全文]
- FED的制作工藝2016/9/28 20:31:19 2016/9/28 20:31:19
- 微尖的制作過程如下:(1)制作導(dǎo)電基板(ITO玻璃)和1um厚的⒊02絕緣層以及柵極(Mo)的三層結(jié)構(gòu),如圖4-6所示。(2)柵極光刻和反應(yīng)離子刻蝕過程...[全文]
- 注意事項2016/9/23 23:03:33 2016/9/23 23:03:33
- 注意事項。①每天的第一次開機必須H57V2562GTR-60C先作一次預(yù)熱(Ⅵ飴rmUp);兩次使用間隔超過1h也必須作一次W衍ltlUp。②開啟X-Ray后,等X-...[全文]
- 封裝比的概念2016/9/10 17:14:24 2016/9/10 17:14:24
- 衡量集成電路制造技術(shù)的先進性,除了集成度(門數(shù)、最大yo數(shù)量)、電路技術(shù)、特征尺寸、MA4AGSW4電氣性能(時鐘頻率、工作電壓、功耗)外,還有集成電路的封裝。由本節(jié)前面內(nèi)容可以看...[全文]
- 工藝文件的編制方法2016/9/4 16:46:53 2016/9/4 16:46:53
- (1)要仔細分析設(shè)計文件的技術(shù)條件、技術(shù)說明、原理圖、安裝圖、接線圖、線扎圖ICS9LP505-1HGLFT及有關(guān)的零件、部件圖等。將這些圖中的安裝關(guān)系與焊接要求仔細弄清楚。(2)...[全文]
- 微型計算機系統(tǒng)的構(gòu)成2016/7/25 20:25:27 2016/7/25 20:25:27
- (l)微型計算機微型計算機結(jié)構(gòu)框圖如圖12.11所示。由圖可KMS15-24知:一臺微型計算機主要由微處理器CPU、存儲器、輸入/輸出接口電路及系統(tǒng)總線(虛線上的部分...[全文]
- 單片機應(yīng)用系統(tǒng)的制版2016/7/23 19:17:10 2016/7/23 19:17:10
- 將設(shè)計的硬件電路通過EDA(如Prote1等)繪制原理圖,并形成PCB制板圖,最后檢ICL7650SCBA-1ZT驗無誤后將PCB圖交給制版公司,加工制造電路板。單片機應(yīng)用系統(tǒng)的調(diào)...[全文]
- 抑制閂鎖效應(yīng)的方法2016/6/22 21:11:33 2016/6/22 21:11:33
- 主要方法是切斷觸發(fā)通路及降低其靈敏度,不使寄D1FL/2U生晶體管工作及降低寄生晶體管電流放大系數(shù)。(1)選材及設(shè)計改進。采用SOI/CMOs工藝,在絕緣層襯底上生長一層單晶硅外延...[全文]
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