- 采用零偏置JFET的放大電路2012/5/21 20:46:34 2012/5/21 20:46:34
- 圖3.33是利用JFET這種性質(zhì)的CC1120RHMR零偏置源極接地放大電路。這個電路的結(jié)構(gòu)簡單，應(yīng)用于話筒放大器或者高輸入阻抗的前置放大器等。柵極偏置電路只用一個RG一lMt0,的電阻，將柵極偏...[全文]
- 高頻截止頻率2012/5/21 19:44:06 2012/5/21 19:44:06
- 圖3.16是高頻范圍電壓AT45DB642D-CNU增益和相位的頻率特性(lOOkHz～lOOMHz)�？梢钥闯觯鲆骐S著頻率的上升從9dB逐漸下降。同時相位也從180。（反相）逐漸變?yōu)?。（同相）...[全文]
- 測定輸入阻抗2012/5/21 19:34:08 2012/5/21 19:34:08
- 圖3.11是測定電路輸入ADR03AKSZ阻抗Zi的方法。是將電阻Rgen審聯(lián)到信號源上，由信號源的輸出電壓砂VGEN和電路的輸入電壓vi求輸入阻抗。電路的輸入電壓口i是用Rgen和Zi對信號源的輸...[全文]
- 與雙極晶體管電路的差別2012/5/19 20:31:59 2012/5/19 20:31:59
- 與雙極晶體管電路的差別前面看到的FET的源極接地放大電路TPS5430DDAR是不是與雙極晶體管的發(fā)射極放大電路完全相同？實際上幾乎是完全相同的，只有一點差別，這就是雙極晶體管的基極一發(fā)射極間電...[全文]
- 測量輸入阻抗2012/5/15 19:41:29 2012/5/15 19:41:29
- 照片9.7是利用第2章圖2.14所示的方法，表示VS與電路ATMLH02B輸入信號VI的波形．其中，信號源電壓VS=50mVp_p，串聯(lián)電阻(即信號源電阻)RS=27kQ。從Vi一25mVp_p為...[全文]
- 100倍的放大器2012/5/15 19:17:34 2012/5/15 19:17:34
- 圖9.3表示這次進(jìn)行實驗的負(fù)反AD7590DIKN饋放大電路。該電路將NPN晶體管的共發(fā)射極放大電路與PNP晶體管的共發(fā)射極放大電路串聯(lián)連接，用電阻Rf將反饋從電路的輸出加到初級NPN晶體管的發(fā)射極...[全文]
- 微特電機(jī)的結(jié)構(gòu)型式2012/5/4 19:38:19 2012/5/4 19:38:19
- 微特電機(jī)一般都由固定部分的定BC337-25子組件、轉(zhuǎn)動部分的轉(zhuǎn)子組件、端蓋（組件）等三大部分組成。定子組件、轉(zhuǎn)子組件又由若干零部件按一定的要求加工、裝配而成。按其結(jié)構(gòu)可分為：1)裝配式結(jié)構(gòu)電機(jī)...[全文]
- 參數(shù)穩(wěn)定性設(shè)計2012/5/2 19:25:09 2012/5/2 19:25:09
- 繼電器參數(shù)變化，特別是接觸電阻LM358DR問題與生產(chǎn)工藝、生產(chǎn)環(huán)境潔凈程度以及質(zhì)量控制密切相關(guān)。從設(shè)計角度講，這些參數(shù)的變化是由于設(shè)計給出的余量較小，另一方面是各系統(tǒng)中不穩(wěn)定因素較多，且較為嚴(yán)重。...[全文]
- 結(jié)構(gòu)可靠性設(shè)計2012/5/1 20:28:13 2012/5/1 20:28:13
- 繼電器結(jié)構(gòu)可靠性設(shè)計主要為機(jī)LM5575MH械結(jié)構(gòu)的可靠性設(shè)計，在進(jìn)行繼電器機(jī)械結(jié)構(gòu)的可靠性設(shè)計時應(yīng)考慮以下方面：①繼電器內(nèi)各結(jié)構(gòu)件要有一定的安全系數(shù)，以保證在使用中不產(chǎn)生對產(chǎn)品性能有不良影響的有...[全文]
- 優(yōu)化設(shè)計2012/4/30 17:52:54 2012/4/30 17:52:54
- 應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計理論和方法，對連接器S3C44B0X01-ED80設(shè)計的各種參數(shù)、結(jié)構(gòu)進(jìn)行全面分析和綜合平衡，確定最滿意的方案。優(yōu)化設(shè)計技術(shù)適用于連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計、零件結(jié)構(gòu)設(shè)計、尺寸精度、性能參數(shù)的確定。...[全文]
- ESD附加掩模2012/4/24 19:15:11 2012/4/24 19:15:11
- 在通常CMOS工藝中，淀積完P(guān)oly后進(jìn)行LDD注入，形成的E13003結(jié)構(gòu)如圖2.64(a)所示。在LDD注入之后生長Spacer(=氧化硅或氮化硅)，然后再進(jìn)行S、D注入，如圖2.64(b)...[全文]
- 基本含義和目的2012/4/17 19:50:19 2012/4/17 19:50:19
- 電子元器件可靠性設(shè)計是指在功能MAX3232EEAE+T設(shè)計的同時，針對產(chǎn)品在規(guī)定的條件下和規(guī)定的時間內(nèi)，可能出現(xiàn)的失效模式，采取相應(yīng)的設(shè)計技術(shù)，以消除或控制其失效模式，使產(chǎn)品滿足規(guī)定的可靠性要求...[全文]
- 電子器件類2012/4/17 19:21:47 2012/4/17 19:21:47
- 電子器件類包括電子真空器件、光電子器件ISL6327CRZ-T及其他電子器件、半導(dǎo)體分立器件、集成電路4大類別。(1)電子真空器件電子真空器件指電子熱離子管、冷陰極管或光電陰極管及其他真空電子器...[全文]
- MiLAN2012/4/6 16:12:25 2012/4/6 16:12:25
- MiLANnll<MiddlewareLinkingApplicationsand>CS5340-CZZ的傳感器網(wǎng)絡(luò)中間件，它允許傳感器網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用程序指定質(zhì)量要求并且能在滿足質(zhì)量要求的情況...[全文]
- 模塊的插入和刪除2012/4/4 20:11:27 2012/4/4 20:11:27
- 模塊的插入是通過分發(fā)協(xié)議(DistributionProtocol)偵聽新EH13A的模塊在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)送的廣播來初始化的。當(dāng)分發(fā)協(xié)議發(fā)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)中有新的模塊發(fā)送了廣播，它會先檢查這個新的模塊相對原來...[全文]
- MantisOS應(yīng)用程序開發(fā)與發(fā)布2012/4/3 0:39:53 2012/4/3 0:39:53
- 應(yīng)用程序的開發(fā)建立在MantisOS平臺上，因此建STM6823MWY6F(5BV)立一個穩(wěn)定的開發(fā)平臺是必須的，首先介紹硬件平臺的建立。傳感器節(jié)點上集成了處理器以及Flash存儲器，傳感器板相當(dāng)于...[全文]
- TinyOS的通信模型2012/4/3 0:03:09 2012/4/3 0:03:09
- TinyOS中的通信遵循主動消息(ActiveMessage，AM)通信SCP6F86-GL-CWH模型，它是一個簡單的、可擴(kuò)展的、面向消息通信的高性能通信模式，一般廣泛應(yīng)用在并行分布式處理系統(tǒng)...[全文]
- 常見攻擊2012/4/1 19:20:32 2012/4/1 19:20:32
- 目前無線傳感器網(wǎng)絡(luò)存在的主要攻擊類D751749ZHHR型包括DoS攻擊、Sybil攻擊、Sinkhole攻擊、Wormhole攻擊、Hello泛洪攻擊和選擇轉(zhuǎn)發(fā)攻擊。(1)DoS(Deni...[全文]
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