摻雜是將特定最的雜質(zhì)通過(guò)薄膜扦引入晶圓表層：藝過(guò)程（見(jiàn)圖4.14）  它有兩種SSS4N60B藝方法：熱擴(kuò)散( thermal diffusion)和離子注入(ion implantation)，將在第1 l章中詳細(xì)闡述熱擴(kuò)散是在1000 cC左右的高溫下發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)，晶圓暴露在一定摻雜元素氣態(tài)下、擴(kuò)散的簡(jiǎn)單例子就如同除臭劑從壓力容器內(nèi)釋放到房間內(nèi)，，氣態(tài)下的摻雜原子通過(guò)擴(kuò)散化學(xué)反應(yīng)遷移到暴露的晶圓表面，形成一層薄膜，在芯片應(yīng)用中，熱擴(kuò)散也稱(chēng)為固態(tài)擴(kuò)散，因?yàn)榫?/span>圓材料是固態(tài)的。、擴(kuò)散摻雜是一個(gè)化學(xué)反應(yīng)過(guò)程  由物理規(guī)律支配雜質(zhì)的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng).

   離子注入是一個(gè)物理過(guò)程，晶圓被裝在離子注入機(jī)的一端，摻雜離子源（通常為氣態(tài)）在另·端在離子源一端，摻雜體原子被離子化（帶有一定的電荷），被電場(chǎng)加到超高速，穿過(guò)晶圓表層，原子的動(dòng)鼉將摻雜原子注入晶圓表層，就好像一粒子彈從槍內(nèi)射入墻中.

   摻雜I：藝的目的是在晶圓表層內(nèi)建立兜形區(qū)，如圖4. 15所示，或是富含電子（N型）或是寓含審穴（P剄）  這些兜形區(qū)形成電性活性區(qū)和PN結(jié)，在電路中的晶體管一二極管、電容器、電阻器都依靠它.