光刻蝕T藝是和照相、OTI006888蠟紙印刷比較接近的一種多步驟的圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程。開(kāi)始將一個(gè)電路的設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為器件和電路的各個(gè)部分的3個(gè)維度，、接下來(lái)繪出X．Y（表面）的尺寸、形

狀和表面對(duì)準(zhǔn)的復(fù)合圖。然后將復(fù)合圖分割成單獨(dú)掩模層（一套掩模）。這個(gè)電子信息被加載到圖形發(fā)生器中。來(lái)自圖形發(fā)生器( pattern generator)的信息又被用來(lái)制造放大掩模版( reticle)和光刻掩模版(photomask)�；蛘咝畔⒖梢则�(qū)動(dòng)曝光和對(duì)準(zhǔn)設(shè)備來(lái)直接將有3種主要技術(shù)被用于在晶圓表面層產(chǎn)生獨(dú)立層圖形。它們是：

   1．復(fù)制在一塊石英板( reticle)E鉻層的芯片專門(mén)層的圖形。二依次使用reticle來(lái)產(chǎn)生一個(gè)

   攜帶用于整個(gè)晶圓圖形的光拖模（見(jiàn)圖4. 13）。

   2．reticle可以使用步進(jìn)光刻機(jī)(stepper)，直接用于晶圓表面層的圖形（見(jiàn)第10章）。

   3．在圖形發(fā)生器中的電路層的信息（尺寸、形狀和對(duì)準(zhǔn)等）可以直接用于導(dǎo)引電子束或其他源到晶片表面( direct write-)（見(jiàn)第10章）。

   這里描述的十步基本圖形化工藝在對(duì)準(zhǔn)和曝光步驟使用放大掩模版或光刻掩模版。，圖形轉(zhuǎn)移是通過(guò)兩步來(lái)完成的。首先，圖形被轉(zhuǎn)移到光刻膠層（見(jiàn)圖8.3）。j光刻膠類(lèi)似膠卷上所涂的感光物質(zhì)。曝光后會(huì)導(dǎo)致它自身性質(zhì)和結(jié)構(gòu)的變化。如圖8.3所示，光刻膠被曝光的部分由可溶性物質(zhì)變成了非溶性物質(zhì)。這種光刻膠類(lèi)型被稱為負(fù)膠( negative acting)，這種化學(xué)變化稱為聚合( polymerization)。通過(guò)化學(xué)溶劑（顯影劑）把可以溶解的部分去掉，就會(huì)在光刻膠層留下一個(gè)孔，這個(gè)孑L和掩模版或光刻母版不透光的部分相對(duì)應(yīng)。