把圖像從掩模版轉(zhuǎn)移到晶圓表面是由多個步驟    圖8.8掩模版和光刻膠極性的結(jié)果來完成的（見圖8.9）。AD8614ART-REEL特征圖形尺寸、對準(zhǔn)容限、晶圓表面情況和光刻層數(shù)都會影響到特定光刻工藝的難易程度和每一步驟的工藝。許多光刻工藝都被定制成特定的工藝條件。然而，大部分都是基本光刻十步法的變異或選項。我們所演示的這個工藝過程是一個亮場掩模版和負(fù)膠相作用的過程。

   從第1步到第7步發(fā)生了第一次圖形轉(zhuǎn)移。在第8步、第9步和第1步中，圖形被轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)移到r晶圓表面層（第二次圖形轉(zhuǎn)移）。使用暗場掩模版和正膠列出工藝步驟并畫出相J也的截面圖對于讀者是個挑戰(zhàn)。本書強(qiáng)烈建議讀者，一定在掌握基本光刻十步法T藝之后再去學(xué)習(xí)先進(jìn)的光刻工藝過程。